[发明专利]一种兜兰培植基质及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石9～13份、干燥松树皮2～6份、硼肥3～6份、NPK混合肥8～15份、腐殖土25～35份、干燥松树锯末8～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～7份、硫酸铝1～3份。

2.根据权利要求1所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石10～13份、干燥松树皮4～6份、硼肥4～6份、NPK混合肥11～15份、腐殖土30～35份、干燥松树锯末12～15份、碳酸钙粉5～7份、蔗糖3～5份、硫酸铝1～3份。

3.根据权利要求1～2任意一项所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，包括以下重量份原料：

蛭石13份、干燥松树皮6份、硼肥6份、NPK混合肥15份、腐殖土35份、干燥松树锯末15份、碳酸钙粉7份、蔗糖5份、硫酸铝3份。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种兜兰培植基质，其特征在于，所述NPK混合肥的混合比例为5:4:1。

5.一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、除去硫酸铝外，分别称取所需份的原料，无菌实验室中采用800～1000倍的多菌灵稀释液分别喷洒各原料，喷洒程度为原料表面湿润为止，喷洒结束后置于无菌实验室中保存备用；所述干燥松树皮在喷洒多菌灵稀释液之前切割成5×3cm的片状；

b、称取所需重量份的NPK混合肥、硼肥溶于无菌水中，配制成1000～1500倍的NPK混合肥稀释液，稀释液中加入所需重量份的硫酸铝搅拌溶解，制得混合液I备用；

c、称取所需重量份的蔗糖、腐殖土、腐殖质、草木灰、1/2的蛭石、干燥松树锯末置于搅拌机中，搅拌速度1350～1650r/min，搅拌均匀后在无菌环境下加入上述备用混合液I继续混合搅拌25～30min，制得混合培养基H备用；所述搅拌机在使用前先用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒，密封消毒5min；

d、在花盆底部放置剩余的1/2蛭石，上方放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；再放置1/3的干燥松树皮，松树皮上放置1/3的混合培养基H；最后放置剩余的1/3的干燥松树皮，松树皮颗粒上放置剩余的1/3的混合培养基H，制得培植基质G备用；

e、将上述备用培植基质置于空气畅通的温室中预处理24～36h，所述温室温度为15～20℃，湿度80～85％。

6.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，所述培植基质G在温室预处理前采用800～1000倍的多菌灵稀释液喷洒消毒一次。

7.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，在培植基质G上采用分株繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第二层干燥松树皮为止，将兜兰植株陪栽在基质中，将挖出基质覆盖兜兰植株根部，并将基质连同兜兰植株置于温度15～20℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育20～25d。

8.根据权利要求4所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，在培植基质G上采用播种繁殖的方式培植兜兰的方法如下：

将培植基质G中部轻轻采挖出，挖至看到第一层干燥松树皮为止，移开第一层干燥松树皮，将兜兰胚胎种芽移植到第二层基质表层，将挖出基质轻轻压盖种芽根部，多余基质摊放四周，并将基质连同兜兰种芽置于温度15～18℃，湿度80～85％的空气畅通的温室中培育45～60d。

9.根据权利要求7～8任意一项所述的一种兜兰培植基质的制备方法，其特征在于，所述培植过程在温度15～20℃的无菌温室下进行，并在温室培育过程中设置两层遮阳网，每层遮阳网遮挡40％的阳光。