[发明专利]一种柔性PI基板的制备方法有效
申请号: | 201810069991.7 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN108329865B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 兰松 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;H01L51/00;B32B38/10 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 pi 制备 方法 | ||
1.一种柔性PI基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S10,提供一玻璃基板,将PI液涂布在所述玻璃基板上;
步骤S11,将涂布有PI液的玻璃基板进行第一次烘烤,形成聚酰亚胺酸膜层;
步骤S12,将预先制成的耐高温胶材涂布在聚酰亚胺酸膜层四周位置;其中,所述耐高温胶材通过将酚醛树脂、硼硅树脂与丁腈-40按一定质量比分别溶于乙酸乙酯中所获得,所述酚醛树脂:硼硅树脂:丁腈-40三者的质量比为:30~40%:45~60%:10~12%,三者总质量占乙酸乙酯的质量的20~80%;
步骤S13,将所述玻璃基板进行第二次烘烤,使所述聚酰亚胺酸膜层脱水形成PI膜层,且使边缘处的聚酰亚胺酸与耐高温胶材反生反应;
步骤S14,在形成PI膜层的玻璃基板上进行后续制程,并形成TFT-LCD或OLED后;通过激光照射的方式将PI基板四周与所述耐高温胶材进行剥离,以及通过紫外线照射的方式将PI基板与玻璃基板进行剥离。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PI液包括至少一种二酐类单体、至少一种二胺类单体以及有机溶剂;
其中,所述二酐类单体为下述的至少一种:
其中,所述二胺类单体为下述的至少一种:
所述有机溶剂由N-甲基吡咯烷酮溶液、N-乙基吡咯烷、γ-己内酯、二甲基亚砜二氯甲烷、丙二醇甲醚醋酸酯以及2-丁酮溶液中的多种混合而成。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述PI液中,所述溶剂包括:N-甲基吡咯烷酮、丙二醇甲醚醋酸酯以及2-丁酮溶液,三者的质量比为45%:40%:15%;
所述二酐类单体为:所述二胺类单体为:
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述耐高温胶材中,所述酚醛树脂的结构为:
其中,n的值为2~50。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述耐高温胶材中,所述硼硅树脂的结构为:
其中,n值为2~10。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,其中:
在所述步骤S11中,将涂布有PI液的玻璃基板进行第一次烘烤的步骤具体为:将述玻璃基板在100~120℃之间的温度下烘烤5~20min;
在步骤S13中,将所述玻璃基板进行第二次烘烤的步骤具体为:
将所述玻璃基板在200~250℃烘烤20~60min,然后在300~350℃烘烤5~15min。
7.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S11中发生的反应式如下:
其中,n的值为20~100。
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S13中边缘处的聚酰亚胺酸与耐高温胶材反生的反应式如下:
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