[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1： n型硅基底的清洗：将n型硅片切割成尺寸为3 cm×3 cm的n型硅基底，接着将所述n型硅基底依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10-15分钟，然后置入浓H₂SO₄/H₂O₂混合溶液中并加温至100-110℃保持50-70分钟，接着用去离子水冲洗所述n型硅基底，并用氮气吹干以备用；

步骤2：在所述n型硅基底的上表面制备硅纳米线阵列：将步骤1得到的所述n型硅基底置于硝酸银/氢氟酸混合溶液中，其中所述硝酸银/氢氟酸混合溶液中氢氟酸的摩尔浓度为4.8mol/l，硝酸银的摩尔浓度为0.02mol/l，并在室温下刻蚀10-30分钟，将刻蚀过的所述n型硅基底取出后，用去离子水冲洗，然后浸入浓硝酸中保持50-60分钟，接着用去离子水清洗硅片，并用氮气吹干以备用；

步骤3：对所述n型硅基底进行钝化处理：将步骤2得到n型硅基底在氢氟酸溶液中浸泡5-10分钟，接着在所述n型硅基底的上表面滴加含有氢氧化钠和四丙醇硅的混合溶液，所述含有氢氧化钠和四丙醇硅的混合溶液中氢氧化钠的浓度为0.3-0.6mg/ml，四丙醇硅的浓度为1-2mg/ml，并静置3-6分钟，接着在2000-2500转/分钟的条件下旋涂2-5分钟，并在200-400℃的温度下退火30-60分钟，以钝化所述n型硅基底的上表面，然后在所述n型硅基底的下表面滴加含有氢氧化钠和四丙醇硅的混合溶液并静置3-6分钟，接着在2000-2500转/分钟的条件下旋涂2-5分钟，并在200-400℃的温度下退火30-60分钟，以钝化所述n型硅基底的下表面；

步骤4：硫化钴纳米线/P3HT层的制备：在步骤3得到的n型硅基底的上表面旋涂含有硫化钴纳米线的P3HT溶液，所述含有硫化钴纳米线的P3HT溶液中硫化钴纳米线的浓度为0.5-1mg/ml，P3HT的浓度为2-5mg/ml，旋涂的转速为2000-3000转/分钟以及时间为1-3分钟，然后在氮气环境中，并在120-140℃的温度下退火20-30分钟，形成所述硫化钴纳米线/P3HT层；

步骤5：PEDOT:PSS层的制备：在所述硫化钴纳米线/P3HT层表面旋涂PEDOT:PSS溶液；旋涂的转速为4000-5000转/分钟以及时间为1-4分钟，然后在氮气环境中，并在110-130℃的温度下退火20-30分钟，以形成所述PEDOT:PSS层；

步骤6：正面银栅电极的制备；

步骤7：背面铝电极的制备。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤1中，所述浓H₂SO₄/H₂O₂混合溶液中H₂SO₄与H₂O₂体积比为3：1

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述PEDOT:PSS层的厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤6中通过热蒸镀法形成所述正面银栅电极，所述正面银栅电极的厚度为100-200nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤7中通过热蒸镀法形成所述背面铝电极，所述背面铝电极的厚度为200-300nm。

6.一种太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的方法制备形成的。