[发明专利]一种太阳能电池片及其制备方法和一种太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述太阳能电池片的制备方法具体包括以下步骤：

步骤(1) 第一改性Spiro-OMeTAD溶液的配制：在1毫升氯苯溶液中加入5-10毫克Spiro-OMeTAD、3-5毫克氧化铝纳米颗粒以及2-6毫克氧化锌纳米颗粒，然后在40-60℃下搅拌均匀以备用；

步骤(2) 第二改性Spiro-OMeTAD溶液的配制：在1毫升氯苯溶液中加入20-40 毫克Spiro-OMeTAD、1-2毫克脂肪醇聚氧乙烯醚、3-8 毫克二硒化铌纳米片、2-6毫克二硫化钨纳米片以及1-5毫克硫化钴纳米片，然后在40-60℃下搅拌均匀以备用；

步骤(3) 第一改性PEDOT:PSS溶液的配制：在1克PEDOT:PSS溶液中加入40-60毫克二甲基亚砜、5-15 毫克聚乙二醇辛基苯基醚、5-15毫克银金属粉末以及10-20毫克碳纳米管，然后在50-70℃下搅拌均匀以备用；

步骤(4) n型硅片的清洗：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗10-20分钟，然后置于浓硫酸/双氧水混合溶液中，所述浓H₂SO₄/H₂O₂混合溶液中H₂SO₄与H₂O₂体积比为3：1，在100-120℃下浸泡20-30分钟，接着用水冲洗所述n型硅片以备用；

步骤(5)在n型硅片的上表面通过金属离子辅助刻蚀法形成硅纳米线阵列；

步骤(6)在所述硅纳米线阵列的表面旋涂所述第一改性Spiro-OMeTAD溶液，旋涂所述第一改性Spiro-OMeTAD溶液的旋涂速度为4000-6000转/分钟以及旋涂时间为3-6分钟，并进行第一次退火处理，以形成第一改性Spiro-OMeTAD层；

步骤(7)在所述第一改性Spiro-OMeTAD层的表面旋涂所述第二改性Spiro-OMeTAD溶液，旋涂所述第二改性Spiro-OMeTAD溶液的旋涂速度为3000-4000转/分钟以及旋涂时间为2-5分钟，并进行第二次退火处理，以形成第二改性Spiro-OMeTAD层；

步骤(8)在所述第二改性Spiro-OMeTAD层的表面旋涂所述第一改性PEDOT:PSS溶液，旋涂所述第一改性PEDOT:PSS溶液的旋涂速度为1500-2500转/分钟以及旋涂时间为1-4分钟，并进行第三次退火处理，以形成第三改性PEDOT:PSS层；

步骤(9)在所述n型硅片的下表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液，并进行第四次退火处理，以形成聚甲基丙烯酸甲酯层；

步骤(10)正面电极的制备；

步骤(11)背面电极的制备。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，所述硅纳米线阵列中单根硅纳米线的直径为300-600纳米以及长度为1-2微米，相邻硅纳米线之间的间距为400-800纳米。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述第一次退火处理的温度为110-120℃以及时间为5-10分钟，所述第二次退火处理的温度为100-110℃以及时间为10-15分钟，所述第三次退火处理的温度为120-130℃以及时间为20-25分钟。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，所述聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为1-4mg/ml，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液的速度为5000-6000转/分钟以及时间为1-5分钟，所述第四次退火处理的温度为100-110℃以及时间为10-15分钟。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：在所述步骤（10）中，通过物理气相沉积法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于：在所述步骤（11）中，通过物理气相沉积法形成所述背面电极，所述正面电极为铝电极，所述背面电极的厚度为150-200纳米。