[发明专利]一种多层金属层结构电控太赫兹波开关

权利要求书

1.一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、多层金属结构阵列层(3)；基底层(1)上依次设有二氧化硅层(2)和多层金属结构阵列层(3)；多层金属结构阵列层(3)由6×6个多层金属单元结构(4)阵列排布而成，多层金属单元结构(4)由上层矩形金属层(7)、中间桥形金属层(6)和下层楼梯形金属层(5)从下至上依次叠加而成，下层楼梯形金属层(5)由两个矩形金属块、两条侧边矩形金属条和若干第一中间矩形条组成，两条侧边矩形金属条平行设置于二氧化硅层(2)上，每条侧边矩形金属条上间隔固定有若干条第一中间矩形条，两条侧边矩形金属条上的第一中间矩形条成对设置且每对第一中间矩形条之间具有间隙，两个矩形金属块分别设置于下层楼梯形金属层(5)的两端；中间桥形金属层(6)由第二中间矩形条和固定在第二中间矩形条两端的第一开孔矩形环组成，且在太赫兹波开关不工作时，两个第一开孔矩形环分别非固定式放置于两个所述的矩形金属块上，第二中间矩形条与下方的下层楼梯形金属层(5)不直接接触；上层矩形金属层(7)由第三中间矩形条和第二开孔矩形环组成，第三中间矩形条放置于第二中间矩形条上，两个第二开孔矩形环分别放置在第三中间矩形条的两端，且第三中间矩形条与第二开孔矩形环不接触；每个多层金属单元结构(4)下方的基底层(1)主体顶面上均排列有一个齿型凸起，每个齿型凸起中包括6个纵向长方体和5个横向长方体，6个纵向长方体直线排列，相邻两个纵向长方体之间通过1个横向长方体连接；每个多层金属单元结构(4)下方的二氧化硅层(2)上开设有与齿型凸起配合的齿型槽孔，每个齿型凸起嵌入一个齿型槽孔中。

2.根据权利要求1所述的一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于所述的基底层(1)的材料为P型硅材料，基底层(1)主体的长度为600μm，宽度为240μm，厚度为5.5μm；基底层(1)主体顶面上的所述每个纵向长方体的长为8μm，宽为10μm，高为3μm；所述每个横向长方体的长为3μm，宽为2μm，高为3μm。

3.根据权利要求1所述的一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于所述的二氧化硅层(2)的整体长度为600μm，宽度为240μm，厚度为3μm；其中，齿型槽孔的总长度为63μm，宽度为10μm，高为3μm；齿型槽孔中两侧对称排列着10个矩形块，每个矩形块的长为3μm，宽为4μm，高为3μm。

4.根据权利要求1所述的一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于所述的下层楼梯形金属层(5)的材料为铜，所述的矩形金属块长为8μm，宽为10μm，厚为0.25μm；固定于同一侧边矩形金属条上相邻的第一中间矩形条之间的距离为8μm，第一中间矩形条宽度为3μm，厚为0.25μm；侧边矩形金属条长为63μm，宽度为2μm，厚为0.25μm。

5.根据权利要求1所述的一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于所述的中间桥形金属层(6)材料为铜，第二中间矩形条的长63μm，宽为10μm，厚为0.25μm；第一开孔矩形环的外矩形长为8μm，宽为10μm，厚为0.25μm，开孔呈正方形，边长为2μm。

6.根据权利要求1所述的一种多层金属层结构电控太赫兹波开关，其特征在于所述的上层矩形金属层(7)的材料为铜，第三中间矩形条的长47μm，宽为10μm，厚为1μm；第二开孔矩形环的外矩形长为12μm，宽为10μm，厚为1μm，开孔呈正方形，边长为2μm，两侧第二开孔矩形环边缘到第三中间矩形条边缘的最近距离均为8μm。