[发明专利]显示基板有效
申请号: | 201810061755.0 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN108257981B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 郝思坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括基板及设于所述基板上的薄膜晶体管和数据线,所述数据线包括转折处,所述薄膜晶体管包括栅电极及漏电极,所述栅电极与所述数据线位于不同层,所述栅电极在所述数据线所在平面上的正投影区域与所述数据线的转折处部分重叠,且所述栅电极在所述数据线所在平面上的正投影区域与所述数据线重叠之外的区域设于所述数据线的一侧;所述漏电极与所述数据线位于同一层,所述漏电极与所述数据线的转折处部分重合。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括相间隔设置的源电极,所述源电极与所述数据线位于同一层,所述源电极用于连接像素电极,且所述漏电极与所述数据线的重合区域在所述栅电极所在平面上的正投影位于所述栅电极内。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述数据线包括呈夹角连接的第一延伸段和第二延伸段,所述漏电极包括依次连接的第一连接段、弯曲段和第二连接段,所述第一连接段与所述第一延伸段部分重合,所述弯曲段与所述第二延伸段部分重合,所述第二连接段和所述第一连接段设于所述第二延伸段的同一侧,且所述第二连接段朝向远离所述第二延伸段的方向延伸。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一延伸段具有第一边缘,所述栅电极在所述数据线所在平面上的投影位于所述第一边缘的一侧,所述栅电极具有第二边缘,所述第一边缘和所述第二边缘在所述数据线所在平面上的投影至少部分重合。
5.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二延伸段具有第三边缘,所述栅电极在所述数据线所在平面上的投影位于所述第三边缘的一侧,所述栅电极具有第四边缘,所述第三边缘和所述第四边缘在所述数据线所在平面上的投影至少部分重合。
6.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述源电极包括伸长段,所述第一连接段与所述第二连接段之间形成间隙,所述间隙设于所述数据线之外,所述伸长段伸入所述第一连接段与所述第二连接段之间的间隙中。
7.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括第一像素电极,所述第一像素电极设于所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧,且覆盖所述薄膜晶体管和所述数据线。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括数条相平行设置的扫描线及数条相平行设置的所述数据线,多个所述数据线与多个所述扫描线相交错,以形成多个像素区,所述薄膜晶体管设于所述像素区内,所述显示基板还包括彩膜基板,所述彩膜基板覆盖多个所述像素区,所述第一像素电极设于所述彩膜基板上。
9.如权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括与所述第一像素电极相间隔设置的第二像素电极,所述第二像素电极设于所述彩膜基板上,所述像素区包括设于所述薄膜晶体管一侧的开口区,所述第二像素电极覆盖所述开口区。
10.如权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述彩膜基板上设有开孔,所述开孔正对所述源电极,所述第二像素电极通过所述开孔电连接所述源电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810061755.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的