[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；

形成透明导电层，在所述P型外延层上形成所述透明导电层；

形成开口，所述开口贯穿所述透明导电层暴露出部分所述P型外延层；

形成P电极层，所述P电极层填充满所述开口且覆盖所述透明导电层的表面；

提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；

去除所述衬底并暴露出所述N型外延层；

形成N电极，在所述N型外延层表面形成所述N电极；其中，

所述开口与所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影相对应，且所述开口的尺寸大于所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影的尺寸。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开口的尺寸小于所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影的尺寸的两倍。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成P电极层的步骤包括：

形成反射电极层，所述发射电极层填充满所述开口且覆盖所述透明导电层的表面；

形成键合金属层，在所述反射电极层上形成所述键合金属层，所述反射电极层和所述键合金属层共同作为所述P电极层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺形成所述开口。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法在去除所述衬底并暴露出所述N型外延层的步骤和形成N电极的步骤之间，还包括对所述N型外延层的表面进行粗化的步骤。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺粗化所述N型外延层的表面。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述LED外延结构还包括形成于所述衬底和所述N型外延层之间的非故意掺杂外延层。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，去除所述衬底并暴露出N型外延层的步骤包括：

采用激光剥离法去除所述衬底；

采用干法刻蚀去除所述非故意掺杂外延层以暴露出所述N型外延层。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电层为ITO透明导电层。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上且自下至上的P电极层、透明导电层、P型外延层、量子阱层、N型外延层及N电极；其中，

所述透明导电层中具有开口，所述开口与所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影相对应，且所述开口的尺寸大于所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影的尺寸，所述开口暴露出所述P型外延层，所述P电极层填充满所述开口且覆盖所述透明导电层的表面。

11.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述开口的尺寸小于所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影的尺寸的两倍。

12.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极层包括反射电极层和键合金属层，其中，所述反射电极层填充满所述开口且覆盖所述透明导电层的表面，所述键合金属层位于所述反射电极层与所述基板之间。

13.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材质为ITO。

14.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极的材质为Ni/Au、Al/Ti/Pt/Au或Cr/Pt/Au。

15.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述基板为Si衬底、W/Cu衬底或Mo/Cu衬底。

16.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述N型外延层具有粗糙的表面。