[发明专利]基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法有效

专利信息
申请号: 201810059617.9 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108288524B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 王妙;王小梅;高平;杨万民 申请(专利权)人: 西安航空学院
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/00;C04B35/64;C04B35/45
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710077 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 制备 单畴钆钡铜氧超导块材 浓度梯度 钆钡铜氧超导块 制备高性能 可用 高温超导块材 超导性能 顶部籽晶 固态反应 实验环节 温度梯度 生长 有效地 熔渗 替换
【权利要求书】:

1.一种基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法,该方法由下述步骤组成:

(1)配制BaCuO2

将BaCO3与CuO粉按摩尔比为1:1混合,用固态反应法制成BaCuO2粉;

(2)配制固相源先驱粉

(3)配制液相源先驱粉

将分析纯的Y2O3、CuO粉以及BaCuO2粉按摩尔比1:6:10混合均匀,作为液相源先驱粉;

(4)压制固相先驱块

(5)压制液相源先驱块

将液相源先驱粉压制成直径大于固相先驱块的圆柱体,作为液相源先驱块;

(6)压制支撑块

将Yb2O3粉压制成直径与液相源先驱块直径相同的圆柱体,作为支撑块;

(7)坯体装配

在Al2O3垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、液相源先驱块、固相先驱块、钕钡铜氧籽晶块,装配成坯体;

(8)熔渗生长单畴钆钡铜氧块材

将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100~150℃的升温速率升温至900℃,保温20小时,再以每小时40~80℃的升温速率升温至1055~1065℃,保温1~2.5小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1025~1028℃,以每小时0.5~1℃的降温速率慢冷至1020~1023℃,以每小时0.1~0.3℃的降温速率慢冷至1002~1005℃,随炉自然冷至室温,得到单畴钆钡铜氧块材;

(9)渗氧处理

将单畴钆钡铜氧块材置入石英管式炉中,在流通氧气气氛、440~350℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钆钡铜氧超导块材;

其特征在于:所述的(2)配制固相源先驱粉的具体方法为:将分析纯的Gd2O3、BaCuO2粉按摩尔比为1:1混合,制成混合粉体;将混合粉体加入到球磨机中,添加混合粉体质量0%~4%的无水BaO粉,混合均匀,制备成2~5个不同BaO添加量的固相源先驱粉,且按照BaO添加量从小到大或从大到小,相邻两个固相源先驱粉中BaO添加量相差0.5%~3%;

所述的(4)压制固相先驱块的具体方法为:将步骤(2)的固相源先驱粉按照BaO添加量由中心到边缘逐渐增大分布压制成圆柱体,作为固相先驱块。

2.根据权利要求1所述的基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在步骤(2)中,将分析纯的Gd2O3、BaCuO2粉按摩尔比为1:1混合,制成混合粉体;将混合粉体加入到球磨机中,添加混合粉体质量0.5%~4%的无水BaO粉,混合均匀,制备成3个不同BaO添加量的固相源先驱粉,且按照BaO添加量从小到大或从大到小,相邻两个固相源先驱粉中BaO添加量相差1%~2%。

3.根据权利要求1或2所述的基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在步骤(4)中,将步骤(2)的固相源先驱粉按照BaO添加量由中心到边缘逐渐增大分布压制成直径小于50mm的圆柱体,作为固相先驱块。

4.根据权利要求3所述的基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在步骤(4)中,压制固相先驱块时,按照模具半径从小到大依次压制,且相邻两个模具半径相差5~20mm。

5.根据权利要求1所述的基于浓度梯度的固相源制备高性能单畴钆钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:在步骤(8)中,将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时120℃的升温速率升温至900℃,保温20小时,再以每小时60℃的升温速率升温至1060℃,保温2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1028℃,以每小时1℃的降温速率慢冷至1021℃,以每小时0.3℃的降温速率慢冷至1003℃,随炉自然冷至室温,得到单畴钆钡铜氧块材。

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