[发明专利]一种基准电压源有效

专利信息
申请号: 201810050129.1 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108241402B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 黄爱华;王健;余生 申请(专利权)人: 上海趣致网络科技股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 代理人: 贺亚明
地址: 200030 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准 电压
【权利要求书】:

1.一种基准电压源,其特征在于:包括启动电路以及与所述启动电路分别连接的偏置电压产生电路、运放电路和基准电压产生电路;

所述启动电路在上电信号的触发下,对所述基准电压产生电路进行充电,以使得所述基准电压产生电路摆脱简并偏置点,进入正常工作状态,且之后与所述启动电路分离;

所述运放电路还与所述基准电压产生电路连接,以在所述基准电压产生电路处于正常工作状态时为所述基准电压产生电路调制基准电压;

所述偏置电压产生电路与所述启动电路、所述运放电路和所述基准电压产生电路均连接,以为所述启动电路、所述运放电路和所述基准电压产生电路提供偏置电压;

在停机信号触发下,所述启动电路、所述偏置电压产生电路、所述运放电路和所述基准电压产生电路均进入高阻状态;

其中,所述启动电路包括第一PMOS管(M1)、电压调节电路、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七PMOS管(M7)和第八NMOS管(M8);

第一PMOS管(M1)的源极连接电源正极,栅极连接停机信号(SD),漏极连接所述电压调节电路的一端;

所述电压调节电路的一端连接第一PMOS管(M1)的漏极,另一端连接第八NMOS管(M8)的栅极,以调节第八NMOS管(M8)的栅极电压;

第五NMOS管(M5)的源极接地,栅极连接第一偏置电压(VBN1),漏极连接第八NMOS管(M8)的栅极;

第六NMOS管(M6)的漏极与第五NMOS管(M5)的漏极和第八NMOS管(M8)的栅极连接,第六NMOS管(M6)的栅极连接所述停机信号(SD),源极接地;

第七PMOS管(M7)的源极连接电源正极,栅极连接反停机信号(SDB),漏极连接第八NMOS管(M8)的漏极;第七PMOS管(M7)的漏极还连接第三偏置电压(VBP1);

第八NMOS管(M8)的源极接地;

所述基准电压源被触发停机时,所述停机信号(SD)为高电平,所述反停机信号(SDB)为低电平;所述基准电压源被触发启动时,所述停机信号(SD)为低电平,所述反停机信号(SDB)为高电平;

所述基准电压产生电路产生的基准电压为设定值时,第一偏置电压(VBN1)为高电平,否则第一偏置电压(VBN1)为低电平;

第三偏置电压(VBP1)为高电平时,所述偏置电压产生电路、所述运放电路和基准电压产生电路均处于高阻状态;第三偏置电压(VBP1)为低电平时,所述偏置电压产生电路、所述运放电路和基准电压产生电路均被接通;

所述高电平为电源正极,所述低电平为接地电压;

所述电压调节电路包括第二PMOS管(M2);第二PMOS管(M2)的源极连接第一PMOS管(M1)的漏极,栅极和漏极均连接第五NMOS管(M5)的漏极;

所述电压调节电路还包括第三PMOS管(M3);第三PMOS管(M3)串联在第二PMOS管(M2)与第五NMOS管(M5)之间;第三PMOS管(M3)的源极连接第二PMOS管(M2)的漏极,第三PMOS管(M3)的栅极、漏极与第二PMOS管(M2)的栅极一起连接第五NMOS管(M5)的漏极;

所述电压调节电路还包括第四PMOS管(M4),第四PMOS管(M4)串联在第三PMOS管(M3)与第五NMOS管(M5)之间;第四PMOS管(M4)的源极连接第三PMOS管(M3)的漏极,第四PMOS管(M4)的栅极、漏极与第三PMOS管(M3)的栅极一起连接第五NMOS管(M5)的漏极。

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