[发明专利]一种上电电压检测电路、电子器件以及物联网设备

说明书

一种上电电压检测电路、电子器件以及物联网设备，上电电压检测电路包括：检测单元，适于检测上电电压，响应于上电电压大于开启电压，其输出端产生导通电压；非电阻负载单元，其第一端和第二端之间的阻抗值由第一控制电压控制，其串联于上电电压经由检测单元至参考地的电通路；反馈控制单元，适于根据导通电压产生第一控制电压；其中，响应于上电电压小于等于翻转电压，第一控制电压控制所述阻抗值为第一阻抗，以使得导通电压为第一逻辑电平；响应于上电电压大于翻转电压，第一控制电压控制所述阻抗值为大于第一阻抗的第二阻抗，以使得导通电压为第二逻辑电平。采用上述方案可降低上电电压检测电路的功耗，并提高电路可靠性。

技术领域

本发明涉及电子电路设计领域，特别涉及一种上电电压检测电路、电子器件以及物联网设备。

背景技术

在集成电路(Integrated Circuit，简称IC)中，通常需要对上电电压进行检测，尤其适用于IC工作在多供电模式下的情形，通过检测可以确定IC处于哪一供电模式，以使得IC进行相应的操作。

在现有技术中，可以采用电压比较器进行上电电压的检测，以确认其处于哪一供电电压范围；例如可以在电压比较器的一个输入端接入带隙基准源产生的基准电压，另一输入端接入所述上电电压，并通过电压比较器的输出逻辑判定所述上电电压所处的供电电压范围。

然而，现有技术方案需要额外引入基准电压，可能引入额外的电路可靠性问题，同时也需要额外付出更多的电路面积和功耗。与此同时，低功耗设计成为电子芯片和电子产品设计的主流。那么，在对上电电压进行检测时，提高检测电路稳定性并兼顾检测电路的低功耗需求是十分必要的。

发明内容

本发明解决的一个技术问题是如何在对上电电压进行检测时，提高检测电路稳定性并兼顾检测电路的低功耗需求。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种上电电压检测电路，所述上电电压检测电路包括：检测单元，适于检测电源端口接收的上电电压，响应于所述上电电压大于开启电压，所述检测单元的输出端产生导通电压；非电阻负载单元，耦接所述检测单元的输出端，其控制端接入第一控制电压，所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值由所述第一控制电压控制，所述非电阻负载单元串联于所述上电电压经由所述检测单元至参考地的电通路上；反馈控制单元，适于根据所述导通电压产生所述第一控制电压；其中，响应于所述上电电压小于等于翻转电压，所述第一控制电压控制所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值为第一阻抗，以使得所述导通电压为第一逻辑电平，所述翻转电压大于所述开启电压；响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值为第二阻抗，以使得所述导通电压为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，所述第二阻抗大于所述第一阻抗。

可选地，所述检测单元包括一个或者多个串联的二极管。

可选地，所述非电阻负载单元包括：第一晶体管，其控制端接入所述第一控制电压，其输入端耦接所述检测单元的输出端，其输出端直接或者间接地耦接所述参考地，响应于所述上电电压小于等于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述第一晶体管导通，响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述第一晶体管关断。

可选地，所述第一晶体管为NMOS晶体管。

可选地，所述反馈控制单元包括：输出逻辑子单元，其输入端接入所述导通电压，适于对所述导通电压进行逻辑运算，以产生第二控制电压；开关单元，其控制端接入所述第二控制电压，其输入端接入关联电压，其输出端输出所述第一控制电压，所述关联电压与所述上电电压相关联，响应于所述上电电压小于等于所述翻转电压，所述开关单元导通，以使得所述第一控制电压等于所述关联电压，响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述开关单元关断。

可选地，所述输出逻辑子单元包括：第一反相器，其输入端接入所述导通电压，其输出端输出所述第二控制电压。