[发明专利]一种上电电压检测电路、电子器件以及物联网设备

权利要求书

1.一种上电电压检测电路，其特征在于，包括：

检测单元，适于检测电源端口接收的上电电压，响应于所述上电电压大于开启电压，所述检测单元的输出端产生导通电压；

非电阻负载单元，耦接所述检测单元的输出端，其控制端接入第一控制电压，所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值由所述第一控制电压控制，所述非电阻负载单元串联于所述上电电压经由所述检测单元至参考地的电通路上；

反馈控制单元，适于根据所述导通电压产生所述第一控制电压；

其中，响应于所述上电电压小于等于翻转电压，所述第一控制电压控制所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值为第一阻抗，以使得所述导通电压为第一逻辑电平，所述翻转电压大于所述开启电压；响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述非电阻负载单元的第一端和第二端之间的阻抗值为第二阻抗，以使得所述导通电压为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，所述第二阻抗大于所述第一阻抗。

2.根据权利要求1所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述检测单元包括一个或者多个串联的二极管。

3.根据权利要求1所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述非电阻负载单元包括：

第一晶体管，其控制端接入所述第一控制电压，其输入端耦接所述检测单元的输出端，其输出端直接或者间接地耦接所述参考地，响应于所述上电电压小于等于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述第一晶体管导通，响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述第一控制电压控制所述第一晶体管关断。

4.根据权利要求3所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述反馈控制单元包括：

输出逻辑子单元，其输入端接入所述导通电压，适于对所述导通电压进行逻辑运算，以产生第二控制电压；

开关单元，其控制端接入所述第二控制电压，其输入端接入关联电压，其输出端输出所述第一控制电压，所述关联电压与所述上电电压相关联，响应于所述上电电压小于等于所述翻转电压，所述开关单元导通，以使得所述第一控制电压等于所述关联电压，响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述开关单元关断。

6.根据权利要求5所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述输出逻辑子单元包括：第一反相器，其输入端接入所述导通电压，其输出端输出所述第二控制电压。

7.根据权利要求5所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述输出逻辑子单元包括：滞回比较器，其输入端接入所述导通电压，其输出端输出所述第二控制电压，响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述导通电压大于所述滞回比较器的上限阈值电压。

8.根据权利要求5所述的上电电压检测电路，其特征在于，所述开关单元包括：

第二晶体管，其控制端接入所述第二控制电压，其输入端接入所述关联电压；

第三晶体管，其控制端接入第三控制电压，其输入端耦接所述第二晶体管的输出端，所述第三晶体管的输出端直接或者间接地耦接所述参考地；

第二反相器，其输入端接入所述第二控制电压，其输出端输出所述第三控制电压；

其中，响应于所述上电电压小于等于所述翻转电压，所述第二晶体管导通，所述第三晶体管关断，以使得所述开关单元导通；响应于所述上电电压大于所述翻转电压，所述第二晶体管关断，所述第三晶体管导通，所述开关单元关断。

9.根据权利要求8所述的上电电压检测电路，其特征在于，还包括：

第一分压电阻，其第一端接入所述上电电压；

第二分压电阻，其第一端耦接所述第一分压电阻的第二端和所述第二晶体管的输入端并输入所述关联电压，所述第二分压电阻的第二端耦接所述第三晶体管的输出端。