[发明专利]器件封装结构及封装过程中应力释放的方法在审
申请号: | 201810045602.7 | 申请日: | 2018-01-17 |
公开(公告)号: | CN108257882A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 杨天伦 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 315899 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载部件 应力释放 塑封层 器件封装结构 封装单元 封装过程 开口 后续工艺 间隔固定 器件封装 翘曲度 减小 量产 塑封 释放 覆盖 制作 | ||
1.一种器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一承载部件,将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上;
在所述承载部件上形成塑封层,所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待封装单元;
在所述塑封层上形成多个应力释放开口,所述应力释放开口与所述待封装单元位于所述塑封层上的不同位置。
2.如权利要求1所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,采用模具法在所述塑封层上形成所述应力释放开口。
3.如权利要求1所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,采用刻蚀的方法在所述塑封层上形成所述应力释放开口。
4.如权利要求1所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,所述应力释放开口为通孔或隔离槽。
5.如权利要求4所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,多个所述隔离槽沿第一方向或/和第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向垂直。
6.如权利要求1所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上之前,所述器件封装方法还包括:在所述承载部件上形成胶合层。
7.如权利要求6所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,所述应力释放开口贯穿所述塑封层,暴露出所述胶合层。
8.如权利要求1~7中任一项所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,在所述塑封层上形成多个应力释放开口之后,所述器件封装方法还包括:对所述应力释放开口进行填充,并进行平坦化。
9.如权利要求8中任一项所述的器件封装过程中应力释放的方法,其特征在于,对所述应力释放开口进行填充,并进行平坦化之后,所述器件封装方法还包括:移除所述承载部件。
10.一种器件封装结构,其特征在于,包括:
一承载部件;
多个待封装单元,所述待封装单元间隔固定于所述承载部件上;
塑封层,所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待封装单元;
多个应力释放开口,所述应力释放开口位于所述塑封层上,且与所述待封装单元位于所述塑封层的不同位置处。
11.如权利要求10所述的器件封装结构,其特征在于,所述应力释放开口为通孔或隔离槽。
12.如权利要求11所述的器件封装结构,其特征在于,多个所述隔离槽沿第一方向或/和第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向垂直。
13.如权利要求10所述的器件封装结构,其特征在于,所述器件封装结构还包括:胶合层,所述胶合层位于所述承载部件与所述待封装单元、所述塑封层之间。
14.如权利要求13所述的器件封装结构,其特征在于,所述应力释放开口贯穿所述塑封层,暴露出所述胶合层。
15.如权利要求14所述的器件封装结构,其特征在于,所述器件封装结构还包括:填充层,所述填充层填满所述应力释放开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造