[发明专利]一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法

权利要求书

1.一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(一)将待测二维过渡金属硫族化合物样品放置于烘烤装置上在包含氧的氛围中进行刻蚀；

所述包含氧的氛围为纯氧气、水蒸气、空气中的其中一种或两种以上的混合物；

所述刻蚀的温度为120℃～300℃，刻蚀时间为4小时-7天；

(二)待测二维过渡金属硫族化合物样品刻蚀一段时间后，采用显微镜即可观察到待测二维过渡金属硫族化合物样品的晶界；

所述显微镜为光学显微镜；

其中，所述待测二维过渡金属硫族化合物层数为1-100层，所述待测二维过渡金属硫族化合物样品为二硒化钼；制备所述待测二维过渡金属硫族化合物样品的方法为化学气相沉积、物理气相沉积、或机械剥离所得；

所述烘烤装置包括热台、烤箱或CVD管式炉；

所述刻蚀优先发生在二维过渡金属硫族化合物边界与晶界处，产生明显的光学衬度，由此判断晶界的位置以及样品是单晶还是多晶。

2.采用权利要求1所述的方法在快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界中的应用。