[发明专利]对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法

权利要求书

1.一种对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底的正面上形成有MOS结构，所述MOS结构具有一栅极介质层和一栅极导电层，所述栅极导电层位于所述栅极介质层上，在所述基底的背面上形成有一掺杂有导电粒子的冗余导电层，所述冗余导电层的电阻率小于等于20Ω·cm，所述栅极导电层和所述冗余导电层在同一工艺步骤中形成，在所述栅极导电层之上还形成有一栅极掩蔽层；在所述冗余导电层之下还形成有一冗余掩蔽层，所述栅极掩蔽层和所述冗余掩蔽层在同一工艺步骤中形成；

利用一静电吸盘从所述基底的背面吸附所述基底，其中，所述静电吸盘中产生有电荷并吸引所述冗余导电层中的导电粒子，以吸附固定所述基底。

2.根据权利要求1中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，所述栅极导电层和所述冗余导电层的形成方法包括：

在所述基底的正面和背面上分别形成一掺杂有导电粒子的材料层；对位于所述基底的正面上的所述材料层执行图形化工艺，以在所述基底的正面上形成所述栅极导电层，并同时保留位于所述基底的背面上的所述材料层，以构成所述冗余导电层。

3.根据权利要求2中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，在所述基底背面上还形成有一冗余介质层，所述冗余导电层形成在所述冗余介质层相对于所述基底一侧的表面上，所述栅极介质层和所述冗余介质层在同一工艺步骤中形成。

4.根据权利要求3中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，在形成所述栅极介质层和所述冗余介质层之后，还包括：

在所述基底的正面的所述栅极介质层上和所述基底的背面的所述冗余介质层上分别形成一非掺杂多晶硅层，位于所述基底正面的所述非掺杂多晶硅层形成在所述栅极介质层上，以及位于所述基底背面的所述非掺杂多晶硅层形成在所述冗余介质层下。

5.根据权利要求4中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，当在所述基底正面上的所述非掺杂多晶硅层厚度减小时，相应地增加所述栅极导电层的厚度；当在所述基底正面上的所述非掺杂多晶硅层厚度增加时，相应地减小所述栅极导电层的厚度，以保证在所述基底正面上的所述非掺杂多晶硅层和所述栅极导电层的总厚度保持不变。

6.根据权利要求1中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，所述基底的电阻率大于等于750Ω·cm。

7.根据权利要求1中所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，所述栅极掩蔽层和所述冗余掩蔽层均包括氧化硅层，所述栅极介质层包括氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的对形成有MOS结构的基底的静电吸附的方法，其特征在于，在对所述基底正面上的所述栅极导电层执行图形化工艺后，在所述基底的正面形成氧化硅层作为所述栅极掩蔽层，在所述基底的背面上形成氧化硅层作为所述冗余掩蔽层；其中，所述基底的正面上的氧化硅层还用于修复所述栅极介质层。