[发明专利]一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201810015175.8 申请日: 2018-01-08
公开(公告)号: CN108560035A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 廖宇龙;张凯斌;李元勋;刘成;廖斌;王晓艺;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学;赣州市德普特科技有限公司
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C18/12;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 异质结 醋酸锌 低成本 纳米管 制备 薄膜 大规模工业化生产 薄膜制备技术 光催化性能 热处理 阵列薄膜 前驱液 热分解 管壁 基底 浸泡
【权利要求书】:

1.一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、采用阳极氧化法制备锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜;

步骤2、将醋酸锌加入去离子水中,配制得到浓度为0.2~1mol/L的醋酸锌前驱液;然后将步骤1制得的TiO2纳米管阵列薄膜浸泡于醋酸锌前驱液中,使前驱体充分进入纳米管内部,取出,干燥;

步骤3、将步骤2处理后的样品置于管式炉内,在450~500℃温度下热处理1~3h,反应完成后,随炉自然冷却至室温,取出,即可得到所述ZnO&TiO2异质结薄膜。

2.根据权利要求1所述的低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法,其特征在于,步骤1所述采用阳极氧化法制备锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜的具体过程为:

1.1将氟化物加入醇类溶剂和去离子水形成的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到氟化物的质量百分比为0.3wt%~0.5wt%的含氟电解液;

1.2将金属钛片依次在无水乙醇和去离子水中超声清洗,烘干待用;

1.3将步骤1.2清洗干净的金属钛片平行放置,作为阳极和阴极,步骤1.1配制的含氟电解液作为电解液,采用阳极氧化法在阳极的金属钛片上制备TiO2纳米管阵列薄膜,其中,阳极氧化电压为55~60V,阳极氧化的时间为1~2h;

1.4将步骤1.3得到的TiO2纳米管阵列取出,在无水乙醇中浸泡10~16h后,在70~100℃温度下烘干;然后放入管式炉内,在450~500℃温度下退火2~3h,得到锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜。

3.根据权利要求2所述的低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法,其特征在于,步骤1.1所述氟化物为氟化铵、氟化钠或氟化钾,所述醇类溶剂为乙二醇或丙三醇。

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