[发明专利]具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件有效
| 申请号： | 201810010042.1 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231870B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;袁雷雷 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 界面 电荷 高压 互连 结构 功率 器件 | ||
1.具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件，包括由上至下依次设置的漂移区(300)、埋层一(200)、衬底(100)；
所述漂移区(300)上设置有N+漏区、漏电极(700)、栅电极、源电极、N+接触区、p阱(400)以及P+源区；
其特征在于：所述漂移区(300)的上方设置有埋层二(500)，所述埋层二(500)上方设置有表面结构(600)；
所述埋层一(200)上设置有延伸到漂移区(300)内的纵向的介质槽一(201)，所述介质槽一(201)沿横向均匀分布；所述埋层二(500)上设置有延伸到漂移区(300)内的介质槽二(501)，所述介质槽二(501)沿横向均匀分布；
相邻两个所述介质槽一(201)之间的间距以及相邻两个所述介质槽二(501)之间的间距均相同；
所述相邻两个所述介质槽一(201)之间的漂移区(300)的浓度以及相邻两个所述介质槽二(501)之间的漂移区(300)的浓度均相同；
所述漂移区(300)一侧的外表面上设置有纵栅；所述纵栅为多晶硅(401)和纵氧化层(402)形成的纵向的槽栅；所述槽栅延伸到埋层一(200)；所述槽栅与p阱形成了纵向导电沟道；所述漂移区(300)内设置有与纵栅相连接的横向的P型的埋层(301)。
2.如权利要求1所述的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件，其特征在于：靠近p阱的第一个介质槽二(501)延伸到p阱(400)下方的漂移区(300)。
3.如权利要求1所述的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件，其特征在于：所述表面结构(600)采用多晶硅氧化层结构。
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