[发明专利]一种铜-氧化铝陶瓷基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201810005364.7 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108191449B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王斌;吴燕青;张恩荣;植木康郎;张学伍 | 申请（专利权）人： | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：包括铜片、氧化铝陶瓷和铜片与氧化铝陶瓷之间的连接层；所述连接层由氧化亚铜、过渡元素的氧化、尖晶石结构的偏铝酸盐三者形成的化合物构成；所述连接层的厚度为50～1000nm。
2.根据权利要求1所述的一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述过渡元素为VB、VIB、VIIB族过渡元素。
3.根据权利要求1所述的一种铜-氧化铝陶瓷基板，其特征在于：所述过渡元素为钒、锰、铁、钼或钛。
4.一种制备权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、在氧化铝瓷片的表面喷涂含过渡元素氧化物的涂层；
步骤二、将步骤一所述氧化铝瓷片烘干；
步骤三、使用热氧化的方法在铜片上制备氧化层；
步骤四、将步骤三所述铜片放置在步骤二所述的氧化铝陶瓷片上烧结形成权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤一中，所述含过渡元素氧化物的涂层为硝酸锰溶液、钼酸铵溶液或者钛酸四丁酯。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤四中，将步骤三所述铜片放置在步骤二所述的氧化铝陶瓷片上，在氧浓度为0-18ppm，温度为1065-1083℃的条件下烧结。
7.一种制备权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、使用液相氧化的方法，利用含过渡元素的溶液处理铜片，淋洗后烘干；
步骤二、将步骤一所述的铜片放置在氧化铝陶瓷片上，在氧浓度为0-18ppm，温度为1065-1083℃的条件下烧结形成权利要求1-3任一所述的铜-氧化铝陶瓷基板。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述含过渡元素的溶液为高锰酸钾溶液、钼酸铵溶液或者钛酸四丁酯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海富乐华半导体科技有限公司，未经上海富乐华半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810005364.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种缠绕工艺制备碳/碳筒体的方法
- 下一篇：一种多孔陶瓷过滤膜的制备方法
