[其他]用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室有效

专利信息
申请号: 201790001227.5 申请日: 2017-07-25
公开(公告)号: CN210156345U 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 甘加达尔·希拉瓦特;卡里阿帕·阿沙阿帕·巴杜维曼达;考希克·维迪亚;波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 处理 部件 屏蔽 设计 以及
【说明书】:

于此公开用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室。在一个实施方式中,用于处理腔室的腔室部件具有基底部件主体。所述基底部件主体具有外部表面,所述外部表面经配置以面对所述处理腔室的处理环境。纹理化表层顺应于所述外部表面。纹理化表层具有第一侧及第二侧,所述第一侧经配置以设置抵靠所述外部表面,所述第二侧背对所述第一侧。所述第二侧具有多个设计特征,所述设计特征经配置以在所述处理腔室的使用期间增强所述纹理化表层上所沉积材料的附着性。

技术领域

实用新型的实施方式一般涉及用于制造微电子装置的等离子体处理腔室,且更特定而言,涉及用于使用于半导体装置制造中的腔室部件的等离子体处理腔室。

背景技术

可靠地生产亚半微米及更小特征为针对半导体装置下个世代的超大规模集成电路(VLSI)及极大规模集成电路(ULSI)的一个关键技术挑战。然而,随着电路技术限制的推进,VLSI及ULSI内部连接技术的缩小尺寸对处理能力提出额外的要求。基板上栅结构的可靠形成对VLSI及ULSI成功而言为重要的,且对持续努力增加电路密度及单独基板及芯片质量而言为重要的。

亚半微米及更小特征的制造依赖于多种处理腔室,例如物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、及蚀刻腔室等。诸多处理腔室具有暴露于处理腔室内的处理区域的可被材料覆盖的部件,同时处理腔室中正在处理基板。非所欲地,附着至腔室部件的材料在处理腔室的操作期间可脱落颗粒或剥离(在处理腔室的操作期间)。沉积材料的剥离导致处理腔室内部增加的污染(亦即,颗粒),所述污染而非所欲地助长基板缺陷及低良率。因此,避免污染非所欲地要求针对处理腔室部件清洁及取代的增加的频率。

因此,具有针对改良的处理腔室部件的需求。

实用新型内容

于此公开用于处理腔室的腔室部件。在一个实施方式中,用于处理腔室的腔室部件具有基底部件主体。所述基底部件主体具有外部表面,所述外部表面经配置以面对所述处理腔室的处理环境。纹理化表层顺应于所述外部表面。纹理化表层包括第一侧、第二侧和多个设计特征,所述第一侧经配置以设置抵靠所述外部表面,所述第二侧背对所述第一侧,所述设计特征以重复图案形成并规则地间隔在所述第二侧上而不在所述第一侧上,其中所述设计特征经配置以在所述处理腔室的使用期间增强所述纹理化表层上所沉积材料的附着性。

在另一实施方式中,所述腔室部件可进一步包括附着剂,所述附着剂设置在所述纹理化表层与所述基底部件主体之间,其中所述附着剂固定所述纹理化表层至所述基底部件主体。

在另一实施方式中,所述腔室部件可为衬垫、喷头、屏蔽或环中的一个。

在另一实施方式中,于此公开用于处理腔室的屏蔽的设计膜。所述设计膜具有基底。所述基底具有处理面对表面及相对于所述处理面对表面的底部表面。所述基底保形于处理屏蔽。多个设计特征以重复图案形成并规则地间隔在所述处理面对表面上且不在所述底部表面上,所述多个设计特征经配置以在所述处理腔室的使用期间增强纹理化表层上所沉积材料的附着性。所述设计膜额外具有联锁特征,所述联锁特征经配置以将所述设计膜固定至所述屏蔽。

在另一实施方式中,所述联锁特征可经配置以允许所述设计膜机械地固定至所述屏蔽且自所述屏蔽移除。

在另一实施方式中,所述联锁特征可包括机械紧固器、压迫适配或收缩适配的中的至少一个。

在另一实施方式中,所述联锁特征可包括附着性材料,所述附着性材料设置于所述基底的所述底部表面上。

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