[发明专利]处理由负偏压温度不稳定性引起的电压漂移的电压监控电路

说明书

通过执行至少以下各项来调节电子装置的输入处的电压：在电压监控电路(210)处接收对应于电源系统的监控电压，在所述电压监控电路处确定所述监控电压是等于还是超过监控阈值电压，(204)在所述电压监控电路处接收指示比较器电路处的所输入的参考电压与所输入的反馈电压是否不同的输出，(218)在所述电压监控电路处调节反馈电压以匹配所述输入的参考电压，(204)以及从所述电压监控电路向所述比较器电路(220)提供所述反馈电压作为更新的输入反馈电压。

背景技术

负偏压温度不稳定性(NBTI)是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管在栅极端子处相对于晶体管的其余端子被负偏压时性能退化的趋势。NBTI引起的退化程度根据一段时间内的应力电压的量、温度和波形转变的持续时间、晶体管的老化以及受应力影响的晶体管的特性(例如阈值电压和驱动电流)而变化。NBTI可以增加晶体管栅极的所需阈值电压并减小晶体管的驱动电流。因此，NBTI是例如先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术等利用PMOS晶体管的基于电路的技术的可靠性问题。

当处理比较器和包含一或多个PMOS输入对的其它类似电子装置的长期参数漂移时，NBTI也是一个问题。特别是对于用于监控电压电平的比较器，如果PMOS输入对在基本相似的操作条件下一段时间内没有工作，则电子装置将在两个不同的PMOS输入处经历参数漂移。当装置继续操作时，电子装置的输入偏移电压可继续漂移得更高。例如，根据不同的处理技术和/或固有的装置特性，比较器的输入偏移电压可以漂移高达几十毫伏(mV)或甚至几百mV。如果足够大，则输入偏移电压可导致长期参数漂离装置的操作规范。为了解决所述问题，在自动测试设备(ATE)测试和/或仿真检查期间难以检测长期参数漂移。因此，对于电子装置，例如监控电压电平的比较器，最小化来自NBTI的长期参数漂移在改进具有PMOS输入的电子装置的性能方面仍然是有价值的。

发明内容

以下呈现了所公开主题的简化概述，以便提供对本文公开的主题的一些方面的基本理解。此概述不是本文公开的技术的详尽综述。它不旨在识别本发明的关键或重要元素或描绘本发明的范围。其唯一目的在于呈现简化形式的一些概念，作为稍后论述的更具体描述的序幕。

在一个实施例中，一种系统包括：比较器电路和电压监控电路，所述比较器电路包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子，所述电压监控电路包括第一输入监控端子、第二监控输入端子和输出监控端子，其中所述第一输入监控端子被配置成接收所监控的电压电平，其中所述第一输入端子被配置成接收参考电压，其中所述第二监控输入端子连接到第一输出端子，并且输出监控端子连接到第二输入端子以形成闭环电路，并且其中所述第二输出端子被配置成提供指示电压监控电路的操作状态的比较器输出。

在另一实施例中，一种电压监控电路包括：电压监控端子，被配置为接收监控电压；第一电阻器，包括耦合到所述电压监控端子的第一电阻器端和耦合到监控晶体管的漏极节点的第二电阻器端；第二电阻器，包括耦合到所述监控晶体管的源极节点和比较器电路的输入端子的第一电阻器端；以及耦合在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的监控晶体管，其中所述监控晶体管包括耦合到所述比较器电路的输出端子的栅极节点，其中所述监控晶体管被配置成基于所述监控电压等于或超过监控阈值电压的确定而使提供到所述比较器电路的所述输入端子的反馈电压与由所述比较器电路获得的参考电压匹配。

在又一个实施例中，一种方法包括：在电压监控电路处接收对应于电源系统的监控电压；在所述电压监控电路处确定所述监控电压是等于还是超过监控阈值电压；在所述电压监控电路处接收指示输入参考电压和输入反馈电压是否在比较器电路处不同的输出；在电压监控电路处基于所述输出以及监控电压等于或超过监控阈值电压的确定来调节反馈电压以匹配输入参考电压；以及从电压监控电路向比较器电路提供反馈电压作为更新的输入反馈电压。

附图说明

为了详细描述各种实例，现在将参考附图，其中：

图1是根据各种实施例的电子装置的框图。