[发明专利]带电粒子线装置

说明书

本发明提供能够有效减少实施SEM观察时的残留磁场的作用的带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置实施将第1线圈截止后在第2线圈流过直流电流的第1模式和将所述第1线圈截止后在所述第2线圈流过交流电流的第2模式中的至少任一种模式。

技术领域

本发明涉及带电粒子线装置。

背景技术

FIB-SEM装置是在同一样品室内配置有会聚离子束(Focus used Ion Beam：FIB)照射部和扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope：SEM)的复合带电粒子线装置。FIB-SEM装置用于制作使用透过型电子显微镜进行观察的薄膜样品、或者解析样品的三维构造。SEM由于与FIB相比探头的束径较小，因此能够以高分辨率来观察样品。

FIB-SEM装置交替或同时实施基于FIB的加工和基于SEM的观察。此时，若从SEM的物镜对FIB-SEM的样品室内有磁场泄漏，则FIB的离子束就会发生偏转，或者离子源的同位素就会发生分离，由此使加工精度、分辨率劣化。即使将SEM镜筒的磁透镜截止，也有时会在磁极片有残留磁场残留，该残留磁场会泄漏到样品室而对基于FIB的加工、观察带来影响。

下述专利文献1对复合带电粒子线装置的残留磁场有记载。该文献以“由残留磁场导致的会聚离子束的质量分离的防止以及电子束的聚焦的再现性的提高。”作为课题(参照摘要)，公开了以下技术：“一种复合带电粒子束装置，在同一样品室具备至少1式以上的会聚离子束镜筒和至少1式以上的电子束镜筒，该复合带电粒子束装置的特征在于，具有电子束镜筒的物镜的残留磁力消磁用的衰减交流电路和存储电子束镜筒的物镜的励磁电流值的功能。”(权利要求2)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开平11-329320号公报

发明内容

发明想要解决的课题

如上述专利文献1那样，在使用衰减交流磁场对残留磁场进行消磁的情况下，为了将残留磁场消磁到能够容许给基于FIB的加工、观察带来的影响的级别，而需要数秒左右的时间。因此，为了有效使用带电粒子线装置，谋求有效减少残留磁场的作用。

本发明鉴于上述这样的课题而完成，提供能够有效减少实施SEM观察时的残留磁场的作用的带电粒子线装置。

用于解决课题的手段

本发明涉及的带电粒子线装置实施将第1线圈截止后在第2线圈流过直流电流的第1模式和将所述第1线圈截止后在所述第2线圈流过交流电流的第2模式中的至少任一种模式。

发明效果

根据本发明涉及的带电粒子线装置，通过按照带电粒子线装置的用途分开使用第1模式和第2模式，能够有效减少残留磁场的作用。

附图说明

图1是实施方式1涉及的带电粒子线装置10的结构图。

图2是表示SEM镜筒100所具备的物镜的结构的侧视图。

图3A是表示物镜作为沉浸型磁透镜来形成时产生的磁场的概略图。

图3B是表示物镜作为非沉浸型磁透镜来形成时产生的磁场的概略图。

图4是表示将物镜截止时的残留磁场的概略图。

图5是说明带电粒子线装置10抑制残留磁场130的作用的次序的流程图。

图6是用于操作者对带电粒子线装置10给出指示的GUI140的示例。

图7是实施方式2涉及的带电粒子线装置10所具备的SEM镜筒100的物镜的结构图。