[发明专利]带电粒子线装置有效
| 申请号: | 201780094118.7 | 申请日: | 2017-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN111033677B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 平野辽;野间口恒典;神谷知里;片根纯一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | H01J37/141 | 分类号: | H01J37/141;H01J37/28;H01J37/317 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带电 粒子 线装 | ||
1.一种带电粒子线装置,对样品照射带电粒子线,该带电粒子线装置的特征在于,具备:
对所述样品出射电子束的电子束照射部;以及
使所述电子束对所述样品收束的物镜,
所述物镜具备:
第1磁极片;
配置在相对于所述第1磁极片远离所述电子束的路径一侧的位置的第2磁极片;
配置在所述第1磁极片和所述第2磁极片之间的第1线圈;以及
配置在相对于所述第2磁极片远离所述电子束的路径一侧的位置的第2线圈,
所述带电粒子线装置还具备:
控制流过所述第1线圈的电流和流过所述第2线圈的电流的控制部;以及
存储针对所述控制部的指令的存储部,
所述控制部按照所述存储部存储的所述指令来实施以下模式中的至少任一种模式:
第1模式,通过在将流过所述第1线圈的电流截止后在所述第2线圈流过直流电流,来减少在所述第2磁极片残留的残留磁场的作用;以及
第2模式,通过在将流过所述第1线圈的电流截止后在所述第2线圈流过交流电流,来减少在所述第2磁极片残留的残留磁场的作用,
所述带电粒子线装置还具备对所述样品出射会聚离子束的离子束照射部,
所述控制部在实施所述第1模式的期间,通过控制所述离子束照射部,来对所述样品照射所述会聚离子束并对所述样品进行加工;或者,所述控制部根据针对实施所述第1模式和所述第2模式中的哪一个的指定来在使用所述会聚离子束对所述样品进行加工时实施第1模式和第2模式中的至少任一者。
2.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述控制部在实施所述第2模式的期间,通过随时间地减少所述交流电流的振幅,来随时间地减少在所述第2磁极片残留的残留磁场。
3.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述控制部构成为能够对以下模式进行切换:
第1磁透镜模式,通过在所述第1线圈流过电流来形成磁透镜;以及
第2磁透镜模式,通过在所述第2线圈流过电流来形成磁透镜,
所述控制部在将动作模式在所述第1磁透镜模式和所述第2磁透镜模式之间进行切换时,实施所述第1模式和所述第2模式中的至少任一种模式。
4.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置还具备:
输入针对所述控制部的指示的用户界面,
所述用户界面具有指定在使用所述会聚离子束对所述样品进行加工时实施所述第1模式和所述第2模式中的哪一种模式的指定栏。
5.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置还具备配置在相对于所述第2磁极片远离所述电子束的路径一侧的位置的第3线圈,
所述控制部按照所述存储部存储的所述指令实施以下模式中的至少任一种模式:
第3模式,通过在将流过所述第1线圈的电流和流过所述第2线圈的电流截止后在所述第3线圈流过直流电流,来减少在所述第2磁极片残留的残留磁场的作用;以及
第4模式,通过在将流过所述第1线圈的电流和流过所述第2线圈的电流截止后在所述第3线圈流过交流电流,来减少在所述第2磁极片残留的残留磁场的作用。
6.根据权利要求5所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置还具备配置在相对于所述第2线圈远离所述电子束的路径一侧的位置的第3磁极片,
所述第2磁极片和所述第3磁极片形成包围所述第2线圈的磁路。
7.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第1线圈和所述第2线圈中的至少任一个由多个线圈形成。
8.根据权利要求5所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第2线圈的匝数为所述第1线圈的匝数以上,
所述第1线圈的匝数为所述第3线圈的匝数以上。
9.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第2线圈的匝数为所述第1线圈的匝数以上。
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