[发明专利]活性气体生成装置

说明书

本发明的目的是提供一种抑制异常放电的发生的活性气体生成装置的构造。并且，在本发明的活性气体生成装置中，供电体(23)设在高电压侧电极构成部(1)的金属电极(10A及10B)的上方，具有在俯视时将高电压侧电极构成部(1)的金属电极(10A及10B)的整体覆盖的形状。供电部(33A及33B)分别设在接地侧电极构成部(2)的金属电极(20A及20B)的下方，具有在俯视时将接地侧电极构成部(2)的金属电极(20A及20B)的整体覆盖的形状。

技术领域

本发明涉及将高压侧电介质电极和低压侧电介质电极相互平行地设置，向两电极间施加高电压，通过产生放电的能量来得到活性气体的活性气体生成装置。

背景技术

作为活性气体生成装置的一种，有利用在形成在一对电介质电极间的放电空间中产生的电介质阻挡放电的活性气体生成装置。通过上述电介质阻挡放电，能够产生半导体的氮化处理/氧化处理等所需要的活性气体。

作为利用这样的电介质阻挡放电的以往的活性气体生成装置，有例如在专利文献1中公开的等离子发生装置。该等离子发生装置是在形成于相互对置的高压侧电极构成部、接地侧电极构成部间的放电空间中产生电介质阻挡放电，通过使原料气体穿过放电空间而生成活性气体的装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5694543号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，利用电介质阻挡放电的以往的活性气体生成装置有可能发生如下的异常放电，该异常放电是在作为在放电空间以外的不想要的部分处由周边气体的绝缘破坏而引起的放电。

在发生了放电空间以外的异常放电的情况下，会发生导致附近零件的构成元素的蒸发的现象，在附近零件含有金属元素的情况下，上述现象在半导体成膜工序中成为金属污染的原因，存在使制造出的半导体装置的性能变差的问题。

除此以外，在将活性气体生成装置在减压下使用的情况下，由于绝缘破坏所需要的电场强度与在大气压下相比变小，所以成为更容易发生异常放电的使用环境。在该环境下，由于通过电介质电极的表面的金属化处理制作的金属电极的端部的电场强度相对地变强，所以成为周边的气体容易引起绝缘破坏的部位，即容易发生异常放电的部位。

在本发明中，目的是解决上述那样的问题点，提供一种能够抑制异常放电的发生的活性气体生成装置的构造。

用来解决课题的手段

有关本发明的活性气体生成装置，是生成将供给到放电空间中的原料气体活化而得到的活性气体的活性气体生成装置，其特征在于，具备：第1电极构成部；第2电极构成部，设在上述第1电极构成部的下方；以及交流电源部，向上述第1及第2电极构成部施加交流电压，以使上述第1电极构成部成为高电压；通过由上述交流电源部进行的上述交流电压的施加，从设在上述第2电极构成部的气体喷出口喷出将供给到形成在上述第1及第2电极构成部间的放电空间中的原料气体活化而得到的活性气体；上述第1电极构成部具有第1电介质电极和选择性地形成在上述第1电介质电极的上表面上的第1金属电极，上述第2电极构成部具有第2电介质电极和选择性地形成在上述第2电介质电极的下表面上的第2金属电极；上述活性气体生成装置还具备：第1供电部，设在上述第1金属电极的上方，向上述第1金属电极传递上述交流电压；以及第2供电部，设在上述第2金属电极的下方，向上述第2金属电极传递上述交流电压；上述第1供电部具有在俯视时将上述第1金属电极的整体覆盖的形状。

发明效果

由于本发明的活性气体生成装置的第1供电部具有在俯视时将第1金属电极的整体覆盖的形状，所以通过由配置在高电压侧的第1金属电极的上方的第1供电部使第1金属电极的端部周边区域的电位变得均匀，能够将第1金属电极的端部的电场强度抑制得较低。