[发明专利]研磨液和研磨方法有效

专利信息
申请号: 201780093690.1 申请日: 2017-08-09
公开(公告)号: CN110997856B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 大塚祐哉;岩野友洋 申请(专利权)人: 昭和电工材料株式会社
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;B24B37/00;H01L21/3105;H01L21/321
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 杜娟
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 研磨 方法
【权利要求书】:

1.一种研磨液,其含有:

磨粒、

分子量为210以上的膦酸化合物、

选自氨基酸和氨基酸衍生物中的至少一种氨基酸成分;

所述磨粒的硅烷醇基密度在6.5个/nm2以下,

所述磨粒的缔合度在1.5~3.0,

所述磨粒包含二氧化硅,

以研磨液的总质量为基准计,所述磨粒的含量为0.10质量%~5.0质量%,所述膦酸化合物的含量为0.005质量%~1.0质量%,所述氨基酸成分的含量为0.005质量%~1.0质量%。

2.根据权利要求1所述的研磨液,其中,所述磨粒包含胶态二氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的硅烷醇基密度在2.0个/nm2以下。

4.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的硅烷醇基密度在1.0个/nm2以上。

5.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的缔合度在2.0以上。

6.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的平均一次粒径为40nm以下。

7.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的平均一次粒径为15nm以上。

8.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的平均二次粒径为80nm以下。

9.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的平均二次粒径为30nm以上。

10.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的ζ电位为正。

11.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述磨粒的ζ电位为+16mV以下。

12.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,以研磨液的总质量为基准计,所述磨粒的含量为0.50质量%以上。

13.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,以研磨液的总质量为基准计,所述磨粒的含量为3.0质量%以下。

14.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物的分子量为280以上。

15.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物的分子量为350以下。

16.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物中的膦酸基的数目为3以上。

17.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物中的膦酸基的数目为6以下。

18.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物中的膦酸基的数目为4以下。

19.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物包括包含氮原子的化合物。

20.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物包括叔胺化合物。

21.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物具有羧基。

22.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,所述膦酸化合物中的羧基的数目为3以上。

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