[发明专利]半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质有效
申请号: | 201780093376.3 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN110945638B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 宫田智之;安彦一;川崎润一;冈崎正 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;刘伟志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 处理 装置 记录 介质 | ||
提供一种即使在基板发生了异常的状况下,检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。根据本发明的一个实施方式,提供如下技术,具有:将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序;向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序;在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序;和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。
技术领域
本发明涉及用于处理半导体器件等基板的半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质。
背景技术
公知如下基板处理装置(以下也简称为处理装置),具有多层地保持基板(以下也称为晶片)的基板保持件(以下也称为舟皿)、和将基板移载到该舟皿的移载机,在舟皿中保持有多个基板的状态下通过处理炉对基板进行处理。在该处理装置中,在处理炉内升温时,或在从处理炉取出而冷却时,由于热应力而存在基板产生裂纹、翘曲等异常的情况。在该裂纹或翘曲处于无法通过基板自动搬送机构自动搬送的级别的情况下,取出放入基板的基板保持体(以下也称为镊子)会与基板发生碰撞而推倒舟皿,导致例如损坏石英制部件等重大事故。
为了解决这个问题,可以想到设置检测基板状态的机构。例如,在专利文献1中,记载有如下内容:在移载机上设置光电传感器,使用移载机的上下轴来移动光电传感器,检测基板保持件的基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开2005-031851号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种即使在基板发生异常的状况下,检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。
根据本发明的一个方案,提供一种技术,具有:将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序;向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序;在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序;和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。
发明效果
根据本发明,能够保持以往结构而不伴随难度改造,检测基板状态的机构不与基板接触地进行基板的检测。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是图1所示的基板处理装置的侧面透视图。
图3是表示作为本发明的一个实施方式的移载信息检测机构的一个例子的晶片异常检测装置的解说图。
图4涉及本发明的一个实施方式,是表示控制多个基板处理装置的基板处理系统的控制器的一个例子的图。
图5涉及本发明的一个实施方式,是表示基板处理系统的控制器的一个例子的框图。
图6是表示使用了图3所示的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。
图7是表示图6所示的使用了晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。
图8A是表示使用了适合用于本发明的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。
图8B是表示使用了适合用于本发明的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。
图9是用于说明适合用于本发明的一个实施方式的晶片检测动作的图。
图10是表示适合用于本发明的一个实施方式的基板处理顺序例的图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造