[发明专利]衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序

说明书

本发明公开了使用排气性经改善后的双重管反应管的衬底处理装置。反应管具有：排气端口，其与外管和内管之间的排气空间连通；第1排气口(4E)，其设置于内管，将处理气体排出；多个第2排气口(4H、4J)，其使排气空间与歧管的内侧的空间连通；以及多个第3排气口(4G)，其在与隔热组件相对的部位的内管开口。第2排气口促进在距第1排气口远的排气空间中滞留的气体的排气。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序。

背景技术

在半导体器件(Device)的制造工序的衬底(晶片)的热处理中，使用例如纵型衬底处理装置。在纵型衬底处理装置中，通过衬底保持件将多个衬底以沿垂直方向排列的方式保持，并将衬底保持件搬入处理室内。然后，在通过在处理室外设置的加热器对衬底加热了的状态下向处理室内导入处理气体，针对衬底进行薄膜形成处理等。另外，在附着于处理室内的膜发生剥离前，进行将其除去的干式清洁等。以往，已知在使用双重管的纵型衬底处理装置中进行清洁的技术(例如，参见专利文献1及2)。另外，为了改善排气，在反应管等的局部设置开口的技术是已知的(例如，参见专利文献3及5)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-119343号公报

专利文献2：日本特开2014-209572号公报

专利文献3：日本特开2001-196364号公报

专利文献4：日本特开平07-193012号公报

专利文献5：美国专利申请公开第2013/0175650号说明书

发明内容

发明要解决的课题

在处理室的清洁中，为了能在抑制对处理室等造成损伤的同时有效除去作为对象的膜，应用与膜的种类对应的各种气体、温度条件。例如，存在重复下述过程的方法：在为了容易将膜除去而将膜暴露于使之改性(氧化)的第1气体中后，将其暴露在用于除去改性后的膜的第2气体中。另外，在与除去反应相伴的副产物等是会腐蚀处理室的物质的情况下，存在为了快速将这些物质排出而使用基于非活性气体的吹扫的情况。

但是，在使石英反应管成为双重构造的情况下，容易在外管与内管的间隙中滞留气体。在这样的部位，清洁气体的供给少且排气也慢。其结果，存在清洁变得不完全、或清洁所需的时间延长的问题。另外，对于双重管构造而言，其在向衬底的成膜时有助于使得原料气体容易在衬底上流动、并加快在衬底上流动的气体的流速，另一方面，对内管内的比衬底处理位置靠下侧的隔热空间进行吹扫的非活性气体变得易于流入衬底处理空间。其结果，成为膜厚根据衬底被配置的上下位置而波动的原因。

本发明的目的在于提供缩短清洁时间的技术。

用于解决课题的手段

在本发明的一方案中，衬底处理装置具备：反应管，其具有一端分别封闭的外管和内管；圆筒状的歧管，其与所述反应管的开口端侧连接；密封盖，其封堵所述歧管的与连接于所述反应管的端相反的端；旋转机构，其贯通所述密封盖并传递旋转；和气体供给管，其供给对歧管的内侧的空间进行吹扫的吹扫气体。所述反应管具有：排气端口，其与外管和内管之间的排气空间连通；第1排气口，其设置于内管，排出处理气体；和多个第2排气口，其使所述排气空间与所述歧管的内侧的空间连通，所述第2排气口中的至少一个促进在距所述第1排气口远的排气空间中滞留的气体的排气。

发明效果

根据本发明，能够改善双重管的间隙中的气体滞留，缩短清洁时间并改善衬底间的膜均匀性。

附图说明

图1是实施方式的衬底处理装置的示意图。