[发明专利]剥离基板制造方法

说明书

本发明的剥离基板制造方法具有将激光聚光于距基板(10)表面为预定深度处的激光聚光步骤、以及使激光聚光器相对于基板(10)相对地移动并进行定位的定位步骤，从而在基板(10)上形成加工层。另外，利用加工层将形成有加工层的基板(10)剥离而制作剥离基板。激光聚光步骤包含使用将激光分支成多束分支激光的衍射光学元件(170)而使分支激光的至少一束按照其强度不同于其他分支激光的方式进行分支的激光调节步骤，在多束分支激光中，利用强度相对高的分支激光使加工层伸长而对基板(10)进行加工，同时利用强度相对低的分支激光来抑制加工层的伸长。

技术领域

本发明涉及一种剥离基板制造方法，更具体地说，涉及一种对碳化硅、蓝宝石、氮化镓等进行激光加工的剥离基板制造方法。

背景技术

以往，在制造以硅(Si)晶片为代表的半导体晶片的情况下，将在石英坩埚内熔融的硅熔液凝固得到的圆柱形晶锭切断成适当长度的块，对其周缘部进行磨削以得到目标直径，然后，使用钢丝锯将块化后的晶锭切割成晶片形，从而制造半导体晶片。需要说明的是，在该说明书中，除了另有说明的情况以外，将晶片适当地称为基板。

如此操作制造的半导体晶片在前工序中依次实施电路图案的形成等各种处理，并供于后工序，在该后工序中对背面进行背面研磨处理而实现薄片化。

另外近年来，硬度大、热导率也高的碳化硅(SiC)受到关注，但由于硬度比晶体硅大的关系，不能使用钢丝锯容易地将晶锭切成片，另外，利用背面研磨进行的基板的薄层化也不容易。进一步对于作为难加工材的蓝宝石基板、氮化镓基板，也要求加工技术。

另一方面，公开了如下技术：通过使高开口数的聚光透镜与由玻璃板构成的像差增强材组合，对晶片的内部照射脉冲状激光而形成加工层后，将其贴合于刚性基板，利用加工层进行剥离，从而得到薄的剥离基板(参照下述专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-19120号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，为了制作剥离基板，如果想要利用激光对SiC、蓝宝石、氮化镓的晶片等晶体材料进行加工，在内部形成加工层，则由于加工导致沿着晶体方向容易产生裂纹，难以形成稳定的加工层。

本发明是鉴于上述情况而提供的发明，其课题在于提供一种能够抑制晶体材料中产生裂纹，且能够形成稳定的加工层并进行剥离的剥离基板制造方法。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明的一个形态涉及的剥离基板制造方法包含基板加工步骤，该步骤具有激光聚光步骤和定位步骤，从而在所述基板上形成加工层，所述激光聚光步骤中，作为基板使用晶体基板，并利用激光聚光器向上述基板的表面照射来自脉冲照射的激光光源的激光，将激光聚光于从上述基板的表面起的基板内部的预定深度，所述定位步骤中，使上述激光聚光器相对于上述基板相对地移动并进行定位的定位。另外，包含基板剥离步骤，即利用上述加工层将通过上述基板加工步骤形成有上述加工层的上述基板剥离，制作剥离基板。而且，上述激光聚光步骤包含激光调节步骤：使用将来自上述激光光源的激光分支成多束分支激光的衍射光学元件，使上述多束分支激光的至少一束按照其强度不同于其他分支激光的方式进行分支。而且，在上述多束分支激光中，利用强度相对高的分支激光使上述加工层伸长而对上述基板进行加工，同时利用强度相对低的分支激光来抑制上述加工层的伸长。

在上述激光调节步骤中，可以使上述多束分支激光在上述基板的内部配置成一列或多列或图案状。

在上述激光调节步骤中，可以使上述多束分支激光中配置于端部侧的至少一束分支激光的强度低于其他分支激光。

在上述激光调节步骤中，优选使上述强度相对高的分支激光的强度相对于上述强度相对低的分支激光的强度以1.1～5.0范围的倍率不同。