[发明专利]剥离基板制造方法有效
| 申请号: | 201780086652.3 | 申请日: | 2017-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN110301035B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 池野顺一;山田洋平;铃木秀树;松尾利香 | 申请(专利权)人: | 信越聚合物株式会社;国立大学法人埼玉大学 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/064;B23K26/067;B23K26/53;C30B29/36;C30B33/04;C30B33/10 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 剥离 制造 方法 | ||
1.一种剥离基板制造方法,其包含:
基板加工步骤,该步骤具有激光聚光步骤和定位步骤,从而在所述基板上形成加工层,所述激光聚光步骤中,作为基板使用晶体基板,并利用激光聚光器向所述基板的表面照射来自脉冲照射的激光光源的激光,将激光聚光于从所述基板的表面起的基板内部的预定深度,所述定位步骤中,使所述激光聚光器相对于所述基板相对地移动并进行定位;以及
基板剥离步骤,利用所述加工层将通过所述基板加工步骤形成有所述加工层的所述基板剥离,制作剥离基板,
所述激光聚光步骤包含激光调节步骤:使用将来自所述激光光源的激光分支成多束分支激光的衍射光学元件,使所述多束分支激光的至少一束按照其强度不同于其他分支激光的方式进行分支,
在所述多束分支激光中,利用强度相对高的分支激光使所述加工层伸长而对所述基板进行加工,同时利用强度相对低的分支激光来抑制所述加工层的伸长。
2.根据权利要求1所述的剥离基板制造方法,在所述激光调节步骤中,使所述多束分支激光在所述基板的内部配置成一列或多列或图案状。
3.根据权利要求2所述的剥离基板制造方法,在所述激光调节步骤中,使所述多束分支激光中配置于端部侧的至少一束分支激光的强度低于其他分支激光。
4.根据权利要求3所述的剥离基板制造方法,在所述激光调节步骤中,使所述强度相对高的分支激光的强度相对于所述强度相对低的分支激光的强度以1.1~5.0范围的倍率不同。
5.根据权利要求2所述的剥离基板制造方法,所述定位步骤中,使所述激光聚光器在所述基板的表面沿相对于所述一列或多列或图案状的方向形成预定角度的扫描方向以预定速度移动。
6.根据权利要求5所述的剥离基板制造方法,所述定位步骤中,隔着使所述激光聚光器沿与所述扫描方向正交的方向移位预定距离的动作而重复进行使所述激光聚光器在所述基板的表面沿所述扫描方向以预定速度移动的动作。
7.根据权利要求6所述的剥离基板制造方法,其包含蚀刻步骤:作为蚀刻液使用熔融碱,在含氧的气体气氛下,一边使所述剥离基板中的所述熔融碱的界面位置在所述剥离基板上移动一边进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的剥离基板制造方法,作为所述熔融碱,使用熔融氢氧化钠。
9.根据权利要求7或8所述的剥离基板制造方法,一边使所述熔融碱流动一边进行蚀刻。
10.根据权利要求9所述的剥离基板制造方法,通过使用SiC基板作为所述基板,从而使所述剥离基板由SiC构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





