[发明专利]利用催化层压体或粘合剂的集成电路晶片集成

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

催化层压体，所述催化层压体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述催化层压体具有分散在所述第一表面和所述第二表面下面的排除深度的催化颗粒；从而所述催化层压体在从所述第一表面至所述排除深度或从所述第二表面至所述排除深度的区域中具有比所述催化层压体的其他区域低的催化颗粒密度；

多个孔，所述孔在所述催化层压体中，至少一个所述孔位于邻近集成电路焊盘以用于附接；

多个通道，所述多个通道形成到所述催化层压体的所述第二表面上，至少一个所述通道从孔延伸至所述第二表面上的末端焊盘；

所述催化层压体被直接定位成邻近所述集成电路，并且其中邻近所述孔的区域与所述集成电路焊盘直接接触；

所述多个通道、所述多个孔和至少一个所述集成电路焊盘具有暴露的催化颗粒，使得通过铜的无电电镀形成导体，铜的无电电镀将至少一个所述集成电路焊盘、至少一个所述通道和所述第二表面上的所述末端焊盘互连；

所述孔、所述通道和所述焊盘通过铜的无电电镀被机械和电地连接。

2.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述催化层压体由催化颗粒形成，所述催化颗粒包括以下中的至少一种：钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、钴(Co)或铜(Cu)或其化合物。

3.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述催化颗粒包括涂覆有催化剂的填料，并且所述填料是以下中的至少一种：粘土矿物质、含水的层状硅酸铝、二氧化硅、高岭石、聚硅酸盐、高岭土家族或瓷土家族的成员或高温塑料。

4.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述排除深度是催化颗粒的最长尺寸的长度的约1/2。

5.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述催化层压体包括与催化颗粒混合的树脂，其中所述催化颗粒与所述树脂按重量计的比率在5％至16％的范围内，并且其中所述催化层压体在凝胶点温度固化持续一定的凝胶点停留时间，所述凝胶点停留时间足以引起所述催化颗粒迁移到所述催化层压体的所述表面下面的排除深度下面。

6.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述催化层压体包括以下中的至少一种：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂或聚四氟乙烯(PTFE)共混树脂。

7.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述催化层压体包括编织或非编织的玻璃纤维织物，所述编织或非编织的玻璃纤维织物注入有包含所述催化颗粒的树脂。

8.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述集成电路的至少一个所述焊盘具有与无电电镀相容的过渡金属的层，其中所述过渡金属的层具有暴露的催化颗粒或所述过渡金属的层由铜形成。

9.一种用于形成集成电路封装的工艺，所述工艺在集成电路上可操作，所述集成电路具有导电焊盘和催化层压体，所述催化层压体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，每个所述第一表面和所述第二表面在从所述第一表面延伸至所述第一表面下面的排除深度以及还从所述第二表面延伸至所述第二表面下面的排除深度的区域中具有与所述催化层压体的其他区域相比减小的催化颗粒密度，所述工艺包括：

在对应于集成电路焊盘的位置中将孔形成到所述催化层压体中，从而所述孔暴露所述催化层压体的所述催化颗粒；

将通道形成到在通向所述孔以及还通向所述第二表面上的任选的连接区域的所述排除深度下面的深度；

将所述催化层压体直接定位成邻近所述集成电路，其中至少一个孔被定位成使环绕所述孔的区域与所述集成电路焊盘直接接触；

进行无电电镀操作，直到所述通道和所述孔与所述集成电路焊盘和所述任选的连接区域电接触；

所述无电电镀在所述催化层压体的所述孔和所述集成电路焊盘之间形成电和机械的连接。

10.如权利要求9所述的工艺，其中所述无电电镀是铜，并且所述催化颗粒是钯。