[发明专利]在相关电子材料器件中形成成核层

说明书

本技术一般涉及结合制造相关电子材料形成成核层，该相关电子材料例如用于执行开关功能。在实施例中，描述了使用气态形式的金属前驱物将过渡金属例如沉积在包括贵金属的导电衬底上的过程。导电衬底可以暴露于还原剂，还原剂可以操作用于将金属前驱物的配体转化为气态形式。沉积在贵金属上的前驱物的剩余金属部分可允许在导电衬底之上生长CEM膜。

技术领域

本技术一般涉及相关电子器件，并且可以更具体地涉及用于制造相关电子器件的方法，相关电子器件例如可以用在开关、存储器电路等中，其可以表现出期望的阻抗特性。

背景技术

诸如电子开关器件的集成电路器件可以在各种电子器件类型中找到。例如，存储器和/或逻辑器件可以包括适用于计算机、数码相机、智能电话、平板设备、个人数字助理等的电子开关。在考虑电子开关器件是否适合于特定应用时，设计者可能感兴趣的与电子开关器件有关的因素可包括例如物理尺寸、存储密度、操作电压、阻抗范围和/或功耗。设计者可能感兴趣的其他因素可包括例如制造成本、易于制造性、可扩展性和/或可靠性。此外，似乎对于展现出较低功率和/或较高速度特性的存储器和/或逻辑器件的需求不断增加。然而，可能非常适合于某些类型的存储器和/或逻辑器件的传统制造技术可能不完全适合用于制造利用相关电子材料的器件。

附图说明

在说明书的结论部分中特别指出并清楚地要求所要保护的主题。然而，关于组织和/或操作方法及其目的、特征和/或优点，可以通过结合附图阅读并参考以下详细描述来理解，其中：

图1A是由相关电子材料形成的器件的电流密度与电压分布的实施例的图示；

图1B是包括相关电子材料的开关器件的实施例的图示以及相关电子材料开关的等效电路的示意图；

图2A-2C示出了试图在导电衬底上形成CEM器件的子过程的实施例200；

图3A-3G示出了利用原子层沉积方法中的气态前驱物在导电衬底上形成成核层的子过程的实施例；以及

图4是用于在导电衬底上形成成核层的过程的实施例的流程图。

具体实施方式

在以下对附图的详细描述中参考了附图，附图形成了本发明的一部分，其中相同的附图标记可以表示贯穿附图中相应的和/或类似的相同部分。应当认识到，附图不一定按比例绘制，例如为了说明的简单和/或清楚。例如，一些实施例的尺寸可能相对于其他实施例被夸大。此外，应该理解，可以使用其他实施例。此外，在不脱离所要求保护的主题的情况下，可以进行结构和/或其他改变。本说明书中对“要求保护的主题”的引用是指旨在由一个或多个权利要求或其任何部分涵盖的主题，并且不一定旨在表示完整的权利要求集、对权利要求集的特定组合(例如，方法权利要求，装置权利要求等)或特定权利要求。还应注意，例如，诸如上、下、顶部、底部等的方向和/或参考可用于促进对附图的讨论，并且不旨在限制所要求保护的主题的应用。因此，以下详细描述不应被视为限制所要求保护的主题和/或等同物。

贯穿本说明书对一个实现方式、实现方式、一个实施例、实施例等的提及意味着结合特定实现方式和/或实施例描述的特定特征、结构和/或特性等包括在所要求保护的主题的至少一个实现方式和/或实施例中。因此，例如，在整个说明书中的各个地方出现这样的短语不一定旨在提及相同的实现方式和/或实施例或任何一个特定实现方式和/或实施例。此外，应当理解，所描述的特定特征、结构和/或特性等能够在一个或多个实现方式和/或实施例中以各种方式组合，并且因此在预期的权利要求范围内。当然，一般来说，如同本申请说明书的情况一样，这些和其他问题有可能因特定使用情境而异。换句话说，贯穿本公开，特定的描述和/或使用情况的上下文提供了关于要作出的合理推论的有用指导；然而，类似地，“在本上下文中”在没有进一步限定的情况下一般指本公开的上下文。