[发明专利]在相关电子材料器件中形成成核层在审
| 申请号： | 201780076883.6 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110073506A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 衬底 金属前驱物 贵金属 电子材料 气态形式 成核层 还原剂 沉积 电子材料器件 过渡金属 开关功能 剩余金属 前驱物 配体 生长 暴露 转化 制造 | ||
1.一种相关电子材料(CEM)器件，包括：
导电衬底，该导电衬底包括具有原子浓度的如下项：贵金属、两种或更多种贵金属的合金、或由足以引起所述衬底的主要导电性能的至少一种贵金属的氧化物形成的材料；以及
第一成核层，该第一成核层形成在所述导电衬底的表面上，以允许在所述导电衬底之上沉积一层或多层CEM膜。
2.根据权利要求1所述的CEM器件，进一步包括：
第二成核层，该第二成核层形成在所述CEM膜的表面上，该第二成核层允许在所述第二成核层上沉积导电覆盖层。
3.根据权利要求1或2所述的CEM器件，其中，所述CEM膜包括在约0.1％至15.0％之间的掺杂物浓度，并且其中，所述第一成核层包括至少50.0％的原子浓度的形成所述CEM膜的金属物质。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述第一成核层由与所述CEM膜的金属物质相同的金属物质形成。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述第一成核层包括形成在所述导电衬底的所述表面之上的单层。
6.根据权利要求1所述的CEM器件，其中，所述第一成核层包括形成在所述导电衬底的所述表面之上的子单层。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述第一成核层包括约在至范围内的厚度。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述第一成核层包括约在至范围内的厚度。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述第一成核层包括导电材料。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的CEM器件，其中，所述导电衬底包括至少50.0％的原子浓度的所述贵金属、或所述贵金属合金、或所述至少一种贵金属的氧化物。
11.一种构建相关电子材料(CEM)器件的方法，包括：
在室中形成导电衬底，该导电衬底包括具有原子浓度的如下项：贵金属、两种或更多种贵金属的合金、或由足以引起所述衬底的主要导电性能的至少一种贵金属的氧化物形成的材料；
在所述导电衬底上形成一个或多个第一成核层；以及
在所述一个或多个成核层上形成CEM膜。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
在所述CEM膜上形成一个或多个第二成核层；并且
在所述一个或多个第二成核层之上形成导电覆盖层。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，在所述一个或多个成核层上形成所述CEM膜包括：经由原子层沉积工艺沉积一层或多层CEM。
14.根据权利要求11至13中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一成核层包括导电材料，该导电材料包括具有至少约50.0％的原子浓度的过渡金属或过渡金属氧化物。
15.根据权利要求11至14中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一成核层包括导电材料的子单层，该导电材料的子单层包括至少约50.0％的原子浓度的贵金属或包括至少50.0％金属的贵金属氧化物。
16.根据权利要求11至15中的任一项所述的方法，其中，形成所述导电衬底包括沉积一个或多个层，该一个或多个层具有至少约50.0％的原子浓度的所述贵金属、或所述贵金属合金、或足以引起所述衬底的主要导电性能的所述至少一种贵金属的氧化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ARM有限公司，未经ARM有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780076883.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高可靠性发光二极管
- 下一篇：有机半导体组合物、有机薄膜及有机薄膜晶体管
