[发明专利]电子器件的制备方法有效
| 申请号: | 201780075083.2 | 申请日: | 2017-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN110036498B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
| 发明(设计)人: | 格雷·比雷;克里斯托夫·莱昂哈德;曾信荣;曼纽尔·汉布格尔;比特·布克哈特;卡特娅·马里亚·沙伊布勒;安雅·雅提斯奇 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
| 主分类号: | H10K99/00 | 分类号: | H10K99/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;穆德骏 |
| 地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子器件 制备 方法 | ||
1.一种制备电子器件的方法,所述电子器件包括形成界面的第一功能层和第二功能层,
其中所述方法包括以下工艺步骤:
a1)将包含第一有机功能材料和第一溶剂的第一溶液沉积在载体上;
a2)干燥所述第一溶液并任选地使所述第一有机功能材料退火,以获得第一功能层;
b1)在所述第一功能层上沉积包含第二有机功能材料和第二溶剂的第二溶液;和
b2)干燥所述第二溶液并任选地使所述第二有机功能材料退火,以获得第二功能层;
其特征在于,在25℃下所述第一有机功能材料在所述第二溶剂中的绝对溶解度为0.1-200g/L,并且其中在25℃下所述第一有机功能材料在所述第二溶剂中的溶解速率为<0.116g/(L·分钟),并且其特征在于,在25℃下所述第二有机功能材料在所述第二溶剂中的绝对溶解度为5.0g/L。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中在25℃下,所述第二溶剂对所述第一功能层的层损伤速率LDR小于0.066nm/秒。
3.根据权利要求2所述的方法,
其中适用以下条件:
d(层1)LDR·t(b1),
其中d(层1)是所述第一功能层的厚度[nm];LDR是在25℃下测量的所述层损伤速率[nm/秒];并且t(b1)是其中进行工艺步骤b1的时间段[秒]。
4.根据权利要求1所述的方法,
其中适用以下条件:
tDISS(材料1/溶剂2)≥2·t(b1),
其中tDISS(材料1/溶剂2)是在25℃下在1.00L的所述第二溶剂中溶解7.00g的所述第一有机功能材料所需要的溶解时间[秒];并且t(b1)是其中进行工艺步骤b1的时间段[秒]。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其中所述第一有机功能材料是不可交联的聚合物。
6.根据权利要求5所述的方法,
其中所述不可交联的聚合物是空穴传输材料。
7.根据权利要求6所述的方法,
其中所述空穴传输材料选自聚硅烷、苯胺共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩、聚(N-乙烯基)咔唑、聚吡咯、聚苯胺、聚三芳基胺及其混合物。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其特征在于基于所述第二溶液的总重量,所述第二有机功能材料在所述第二溶液中的含量在0.001-20重量%的范围。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其中所述第二有机功能材料是发光材料。
10.根据权利要求9所述的方法,
其中所述发光材料是选自以下的荧光发光体或磷光发光体:二苯乙烯,二苯乙烯胺,苯乙烯胺,香豆素,红荧烯,罗丹明,噻唑,噻二唑,花青,噻吩,联三苯叉,苝,酞菁,卟啉,酮,喹啉,亚胺,蒽,芘和磷光金属络合物,及其混合物。
11.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其中工艺步骤b1是在小于600秒的时间段内进行。
12.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其中工艺步骤b1是在5-50℃的范围的温度下进行。
13.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,
其中在工艺步骤b1中,在所述第一功能层上沉积包含第二有机功能材料和第二溶剂的所述第二溶液是通过印刷工艺或涂覆工艺进行的。
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