[发明专利]波导装置和掺杂波导装置的方法

权利要求书

1.一种制造波导装置的方法，所述方法包括：

提供肋形波导，所述肋形波导包括：

基底，以及

从所述基底延伸的脊状物；

其中：所述基底包括在所述脊状物的第一侧处的第一平板区和在所述脊状物的第二侧处的第二平板区；以及

产生沿着所述第一平板区延伸的第一掺杂平板区；产生所述第一掺杂平板区的步骤包括：

在所述第二平板区的至少一部分上提供光致抗蚀剂，与所述脊状物从所述基底延伸相比，所述光致抗蚀剂从所述基底延伸得更远；

使用掺杂剂与所述波导的第一侧壁成角度α来植入所述第一平板区，将所述光致抗蚀剂用作掩模以在不被掺杂的区上蒙上阴影，所述不被掺杂的区包括所述脊状物的第二侧壁。

2.根据权利要求1所述的制造波导装置的方法，所述方法还包括以下步骤：

使用所述掺杂剂与所述脊状物的第一侧壁成角度β来植入所述脊状物的第一侧壁和所述第一平板区的一部分，以产生沿着所述脊状物的第一侧壁并且沿着所述第一平板区的一部分延伸的第一掺杂侧壁区，所述第一掺杂侧壁区在第一平板界面处与所述第一掺杂平板区接触。

3.根据权利要求2所述的制造波导装置的方法，其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的间隔不多于10μm。

4.根据权利要求3所述的制造波导装置的方法，其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的所述间隔不多于5μm。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的制造波导装置的方法，其中用于掺杂所述第一平板区和所述第一侧壁的掺杂剂是N型掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的制造波导装置的方法，其中所述第一平板区的掺杂剂是与所述第一侧壁的掺杂剂相同的材料。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的制造波导装置的方法，所述方法还包括以下步骤：

从所述第二平板区上移除所述光致抗蚀剂；

产生沿着所述第二平板区延伸的第二掺杂平板区；产生所述第二掺杂平板区的步骤包括：

在所述第一平板区的至少一部分上提供光致抗蚀剂，与所述脊状物从所述基底延伸相比，所述光致抗蚀剂从所述基底延伸得更远；

使用第二掺杂剂与所述波导的第二侧壁成角度α来植入所述第二平板区，将所述光致抗蚀剂用作掩模以在不被掺杂的区上蒙上阴影，所述不被掺杂的区包括所述脊状物的第一侧壁。

8.根据权利要求7所述的制造波导装置的方法，所述方法还包括以下步骤：

使用所述掺杂剂与所述脊状物的第二侧壁成角度β来植入所述脊状物的第二侧壁和所述第二平板区的一部分，以产生沿着所述脊状物的第二侧壁并且沿着所述第二平板区的一部分延伸的第二掺杂侧壁区，所述第二掺杂侧壁区在第二平板界面处与所述第二掺杂平板区接触。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的制造波导装置的方法，其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的间隔不多于10μm。

10.根据权利要求9所述的制造波导装置的方法，其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的所述间隔不多于5μm。

11.根据权利要求8所述的制造波导装置的方法，其中用于掺杂所述第二平板区和所述第二侧壁的掺杂剂是P型掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的制造波导装置的方法，其中所述第二平板区的掺杂剂是与所述第二侧壁的掺杂剂相同的材料。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中在硅晶片上制造所述装置，并且其中使用掺杂剂与所述第一侧壁成角度α来植入所述第一平板区的步骤包括相对于植入方向使所述晶片倾斜的步骤。