[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的显示装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

支撑层；

多个发光部件，设置在所述支撑层上，其中所述发光部件中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及有源层，所述有源层设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间；

多个波长转换层，分别设置在所述多个发光部件上；

分隔件，设置在所述多个发光部件之间和所述多个波长转换层之间；

多个滤色器，分别设置在所述多个波长转换层上；

黑矩阵，设置在所述多个滤色器之间；

第一凸块电极，共同连接到所述多个发光部件；

多个第二凸块电极，分别电连接到所述多个发光部件；

第一电极，将所述多个发光部件的第一导电类型半导体层彼此电连接；

第一绝缘层，覆盖所述多个发光部件的下部，

其中所述第一导电类型半导体层的宽度朝向所述波长转换层减小，并且所述第二导电类型半导体层的宽度朝向所述波长转换层增加，

其中第一中间层设置在滤色器与波长转换层之间，所述第一中间层的材料与多个波长转换层和多个滤色器的材料不同，以及

其中阻挡层设置在多个波长转换层的侧表面、所述第一导电类型半导体层的上表面和侧表面、以及所述支撑层的上表面之上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个波长转换层之间的宽度大于所述多个发光部件之间的最大宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极穿过所述第一绝缘层电连接到所述第一导电类型半导体层，并且所述第一电极电连接到所述第一凸块电极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中相邻的波长转换层之间的宽度在30μm至50μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述分隔件包括反射颗粒。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一中间层，设置在所述波长转换层与所述滤色器之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述波长转换层包括硅树脂，所述滤色器包括丙烯酸树脂。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一中间层包括氧化物或氮化物。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个发光部件的有源层的宽度朝向所述波长转换层增加。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述黑矩阵的厚度在5μm至55μm的范围内。

11.一种显示装置，包括半导体器件，

其中所述半导体器件包括：

支撑层；

多个发光部件，设置在所述支撑层上，其中所述发光部件中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及有源层，所述有源层设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，

多个波长转换层，分别设置在所述多个发光部件上；

分隔件，设置在所述多个发光部件之间和所述多个波长转换层之间；

多个滤色器，分别设置在所述多个波长转换层上；

黑矩阵，设置在所述多个滤色器之间；

第一凸块电极，共同连接到所述多个发光部件；

多个第二凸块电极，分别电连接到所述多个发光部件；

第一电极，将所述多个发光部件的第一导电类型半导体层彼此电连接；

第一绝缘层，覆盖所述多个发光部件的下部，

其中所述第一导电类型半导体层的宽度朝向所述波长转换层减小，并且所述第二导电类型半导体层的宽度朝向所述波长转换层增加，

其中第一中间层设置在滤色器与波长转换层之间，所述第一中间层的材料与多个波长转换层和多个滤色器的材料不同，以及

其中阻挡层设置在多个波长转换层的侧表面、所述第一导电类型半导体层的上表面和侧表面、以及所述支撑层的上表面之上。