[发明专利]快动遮蔽运动式双轴可变宽度的质量解析孔径

权利要求书

1.一种离子注入系统，包括：

离子源，其生成具有选定粒种的离子束；

质量分析器，其定位于离子源下游并根据选定的荷质比和角度调整产生磁场；

解析孔径组件，其定位于质量分析器下游，所述解析孔径组件包括：

第一板片和第二板片，其中，所述第一板片和第二板片在其间限定解析孔径，其中， 所述第一板片相对于所述第二板片的位置限定解析孔径的宽度；和

一个或多个致动器，其可操作地耦接到第一板片和第二板片中一个或多个板片，其中，所述一个或多个致动器配置成选择性更改第一板片和第二板片中的相应一个或多个板片的彼此相对位置，其中选择性更改解析孔径的宽度，其中，所述一个或多个致动器进一步配置成使第一板片相对于第二板片定位，以选择性关闭解析孔径，其中选择性防止离子束射到所述解析孔径组件的下游，其中，所述一个或多个致动器包括可操作地耦接到第一板片和第二板片中一个或多个板片的伺服电机和气动缸，其中，所述伺服电机配置成精确地更改解析孔径的宽度，且其中，所述气动缸配置成快速关闭解析孔径；以及

控制器，其配置成经由一个或多个致动器的控制来控制解析孔径的宽度，其中，控制解析孔径的宽度至少部分地基于离子束的一个或多个期望属性。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述离子束的一个或多个期望属性包括选定的离子束包络和选定的离子束质量分辨率。

3.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个致动器进一步配置成基于选定的束包络和选定的质量分辨率中的一个或多个而在所述质量分析器的出射路径上选择性定位第一板片和第二板片以选择性定位所述解析孔径。

4.根据权利要求3所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个致动器包括一个或多个线性致动器。

5.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括感测装置，其配置成检测与离子束相关联的一个或多个条件。

6.根据权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个条件与一个或多个故障条件相关联，且其中，所述控制器配置成检测到一个或多个故障条件时经由气动缸的控制来选择性关闭解析孔径。

7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个故障条件与非期望的离子束电流相关联。

8.根据权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述控制器配置成基于由感测装置感测到的一个或多个条件而经由一个或多个致动器的控制来选择性单独平移第一板片和第二板片。

9.根据权利要求8所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个条件包括与非期望的同位素相关联的离子束电流。

10.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括聚焦部件，其定位于所述质量分析器的下游和所述解析孔径的上游，其中，所述聚焦部件配置成汇聚离子束。

11.根据权利要求10所述的离子注入系统，其中，所述聚焦部件配置成将离子束在接近解析孔径的位置汇聚到最小值。

12.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括一个或多个线性电位计，其中，所述一个或多个线性电位计配置成向所述控制器提供第一板片和第二板片中一个或多个板片的位置。

13.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述伺服电机和所述气动缸配置成独立地更改第一板片与第二板片的彼此相对位置。

14.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括下游位置的致动器，其配置成沿离子束的路径选择性更改解析孔径的位置，其中，所述控制器进一步配置成至少部分地基于一个或多个离子束期望属性来控制解析孔径沿离子束路径的位置。