[发明专利]从利用动态冗余寄存器的存储器设备读取数据的方法有效
申请号: | 201780072274.3 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN109997190B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | M·艾尔·巴拉吉;N·伯杰;B·S·路易;L·M·克鲁德尔;D·L·希尔曼 | 申请(专利权)人: | 芯成半导体(开曼)有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G06F11/10 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟 |
地址: | 开曼群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 动态 冗余 寄存器 存储器 设备 读取 数据 方法 | ||
1.一种从存储器设备读取数据的方法,所述方法包括:
在多个存储器地址中选定的一个存储器地址处从存储体读取数据字,其中每个存储器单元布置成在多个存储器地址中的一个存储器地址处存储数据字;
响应于确定通过读取在预定的错误预算内未成功读取所述数据字,将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第一级动态冗余寄存器;
确定要重写入所述第一级动态冗余寄存器中的所述存储体的数据字;以及
在所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址处将所述数据字重写入所述存储体中。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述存储体包括多个自旋转移力矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)单元。
3.如权利要求1所述的方法,还包括:响应于确定通过读取在预定的错误预算内未成功读取所述数据字,尝试使用纠错码(ECC)来校正所述数据字中的错误。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:
执行验证以确定所述数据字是否通过所述重写成功写入所述存储体;以及
响应于确定所述数据通过所述重写没有成功写入,将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入第二级动态冗余寄存器。
5.如权利要求4所述的方法,还包括:
将所述数据字从所述第二级动态冗余寄存器重映射到所述存储体中的地址,其中所述第二级动态冗余寄存器存储所述数据字的重映射地址。
6.如权利要求4所述的方法,还包括:
在将所述数据字和所述多个存储器地址中的所述选定的一个存储器地址写入所述第二级动态冗余寄存器之前,尝试重写预定次数,以及其中,使用与重写尝试相关联的控制位存储所述预定次数。
7.如权利要求6所述的方法,其中,使用所述第一级动态冗余寄存器的控制位存储所述预定次数。
8.如权利要求1所述的方法,其中,在所述存储体不活动的时钟周期期间尝试重写。
9.如权利要求4所述的方法,其中所述存储体包括伪双端口存储体,其中所述伪双端口存储体可操作为在同一时钟周期中执行写操作和验证操作。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述写操作和所述验证操作包括共享公共行地址的数据字。
11.如权利要求4所述的方法,其中所述存储体包括双端口存储体,其中所述双端口存储体可操作为在同一时钟周期中执行写操作和验证操作。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述第一级动态冗余寄存器包括易失性存储器。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述第一级动态冗余寄存器包括非易失性存储器。
14.如权利要求4所述的方法,其中所述第二级动态冗余寄存器包括非易失性存储器。
15.如权利要求4所述的方法,其中所述第二级动态冗余寄存器包括易失性存储器。
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