[发明专利]摄像元件以及焦点调节装置在审
申请号: | 201780071796.1 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN110036481A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 加藤周太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 像素 波长域 入射 光电转换 摄像元件 焦点调节装置 反射部 遮光部 透射 遮光 反射 | ||
1.一种摄像元件,其具备第一像素和第二像素,
所述第一像素具有对入射来的第一波长域的光进行光电转换的第一光电转换部、和使透射了所述第一光电转换部的光的一部分向所述第一光电转换部反射的反射部,
所述第二像素具有对入射来的比所述第一波长域短的第二波长域的光进行光电转换的第二光电转换部、和将入射至所述第二光电转换部的光的一部分遮光的遮光部。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,
所述第一像素具有供所述第一波长域的光透射的第一滤光片,所述第一光电转换部对透射了所述第一滤光片的光进行光电转换,所述反射部对透射了所述第一滤光片和所述第一光电转换部的光的一部分进行反射,
所述第二像素具有供波长比所述第一波长域短的第二波长域的光透射的第二滤光片,所述遮光部将入射至所述第二光电转换部的光的一部分遮光。
3.一种摄像元件,其具备第一像素和第二像素,
所述第一像素具有供第一波长域的光透射的第一滤光片、对透射了所述第一滤光片的光进行光电转换的第一光电转换部、和使透射了所述第一光电转换部的光的一部分向所述第一光电转换部反射的反射部,
所述第二像素具有供波长比所述第一波长域短的第二波长域的光透射的第二滤光片、对透射了所述第二滤光片的光进行光电转换的第二光电转换部、和将入射至所述第二光电转换部的光的一部分遮光的遮光部。
4.一种摄像元件,其具备第一像素和第二像素,
所述第一像素具有供入射来的光中的第一波长域的光透射的第一滤光片,且对透射了所述第一滤光片的光进行光电转换的第一光电转换部配置在所述第一滤光片与使透射了所述第一光电转换部的光向所述第一光电转换部反射的反射部之间,
所述第二像素在供入射来的光中的比所述第一波长域短的第二波长域的光透射的第二滤光片、与对透射了所述第二滤光片的光进行光电转换的第二光电转换部之间具有将入射至所述第二光电转换部的光的一部分遮光的遮光部。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的摄像元件,其中,
所述第一光电转换部对由所述反射部反射的光进行光电转换来生成电荷,
所述第二光电转换部对没有被所述遮光部遮挡的光进行光电转换来生成电荷。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的摄像元件,其中,
具有多个所述第一像素,
所述摄像元件具有所述反射部设在与相邻的像素相距第一距离的位置处的第一像素、和所述反射部与相邻的像素相距与第一距离不同的第二距离的位置处的第一像素。
7.根据权利要求6所述的摄像元件,其中,
具有所述反射部在规定的方向上设在与相邻的像素相距所述第一距离的位置处的第一像素、和所述反射部在所述规定的方向上设在与相邻的像素相距所述第二距离的位置处的第一像素。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的摄像元件,其中,
所述反射部设于将基于由所述第一光电转换部生成的电荷的信号输出的输出部、与将基于由所述第二光电转换部生成的电荷的信号输出的输出部之间。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的摄像元件,其中,
所述第一像素具有第一微型透镜,
所述第二像素具有焦点距离与第一微型透镜不同的第二微型透镜。
10.根据权利要求9所述的摄像元件,其中,
所述第一微型透镜的焦点距离比所述第二微型透镜的焦点距离长。
11.根据权利要求1~8中任一项所述的摄像元件,其中,
所述第一像素具有第一微型透镜,
所述第二像素具有光学特性与第一微型透镜不同的第二微型透镜。
12.根据权利要求11所述的摄像元件,其中,
所述第一微型透镜与所述第二微型透镜的折射率不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康,未经株式会社尼康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780071796.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的