[发明专利]面发射激光器和电子设备

说明书

本公开的实施方式的面发射激光器设置有：电流收缩区域，具有由从第二半导体层侧注入到层叠体内部的杂质形成的开口部；以及第一半导体层侧的第一DBR层和第二半导体层侧的第二DBR层，该第一DBR层和该第二DBR层在反向面对开口部的位置中夹紧层叠体。在开口部中，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。

技术领域

本公开涉及面发射激光器和包括面发射激光器的电子设备。

背景技术

在面发射激光器中，已经公开了与电流收缩相关的各种技术。

引用列表

专利文献

PTL 1：日本未经审查的专利申请公开号2011-151364

PTL 2：日本未经审查的专利申请公开号2011-29607

PTL 3：日本未经审查的专利申请公开号2010-192824

PTL 4：日本未经审查的专利申请公开号2010-123921

NPTL 1：H.E.Shin，Electronics Letters，32，1287，1996

NPTL 2：Japanese Journal of Applied Physics 52(2013)08J G04

NPTL 3：Phys.Status Solidi A，1-7(2016)/DOI 10.100 2/pssa.20 1532759

发明内容

顺便提及，期望面发射激光器减少由于电流收缩区域引起的光学损耗。这是因为光学损耗的减少使得可以提高面发射激光器的阈值或发光效率。因此，期望提供一种具有由于电流收缩区域引起的较少光学损耗的面发射激光器以及一种包括该面发射激光器的电子设备。

根据本公开的实施方式的面发射激光器包括层叠体。该层叠体包括有源层以及第一半导体层和第二半导体层，该有源层介于第一半导体层与第二半导体层之间。面发射激光器进一步包括：电流收缩区域，由杂质形成并且具有开口，杂质是从第二半导体层侧注入到层叠体中；以及在第一半导体层一侧的第一DBR(分布式布拉格反射器)层以及在第二半导体层一侧的第二DBR层，层叠体在面对开口的位置处介于第一DBR层与第二DBR层之间。在开口处，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。

根据本公开的实施方式的电子设备包括上述面发射激光器作为光源。

在根据本公开的各个实施方式的面发射激光器和电子设备中，在电流收缩区域的开口处，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。这使得与电流收缩区域的开口直径均匀的情况或电流收缩区域的开口直径从第二DBR层侧到第一DBR层侧变小的情况相比，电流收缩区域难以吸收泄漏到电流注入区域的外侧的光。

在根据本公开的各实施方式的面发射激光器和电子设备中，使得电流收缩区域难以吸收泄漏到电流注入区域的外侧的光，这使得可以减少由于电流收缩引起的光学损耗。应注意，本公开的效果不限于上述那些，并且可以是本文中描述的任何效果。

附图说明

[图1]是示出根据本公开的第一实施方式的面发射激光器的横截面配置的实例的图。

[图2A]是示意性地示出图1的电流收缩区域的图。

[图2B]是示意性地示出图2A的电流收缩区域的图。

[图2C]是示出图2B的电流收缩区域的顶面配置的实例的图。

[图3]是示出根据本公开的第二实施方式的面发射激光器的横截面配置的实例的图。