[发明专利]面发射激光器和电子设备

权利要求书

1.一种面发射激光器，包括：

层叠体，具有有源层、第一半导体层、第二半导体层，所述有源层介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

电流收缩区域，由杂质形成并且具有开口，所述杂质是从所述第二半导体层侧注入到所述层叠体中；以及

在所述第一半导体层这一侧的第一DBR层以及在所述第二半导体层这一侧的第二DBR层，所述层叠体在面对所述开口的位置处介于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间，其中，

在所述开口处，靠近所述第一DBR层的开口直径大于靠近所述第二DBR层的开口直径，

所述电流收缩区域包括第一杂质区域和第二杂质区域，其中，形成所述第一杂质区域的杂质和形成所述第二杂质区域的杂质彼此不同，易于深地注入所述层叠体中的杂质作为形成第一杂质区域的杂质，易于浅地注入所述层叠体中的杂质作为形成所述第二杂质区域的杂质。

2.根据权利要求1所述的面发射激光器，其中，在所述开口处，靠近所述第一DBR层的开口直径比靠近所述第二DBR层的开口直径大λ/n或更多，其中，λ表示振荡波长，并且n表示所述层叠体的折射率。

3.根据权利要求1所述的面发射激光器，其中，

所述第一杂质区域和所述第二杂质区域是同心环形的，并且所述第一杂质区域和所述第二杂质区域的深度和开口直径彼此不同，

所述第一杂质区域的深度深于所述第二杂质区域的深度，并且

所述第一杂质区域的开口直径大于所述第二杂质区域的开口直径。

4.根据权利要求1所述的面发射激光器，其中，

所述电流收缩区域是由多个杂质区域构造的，所述多个杂质区域是同心环形的，并且所述多个杂质区域的深度和开口直径彼此不同，并且

具有相对深的深度的所述杂质区域的开口直径大于具有相对浅的深度的所述杂质区域的开口直径。

5.根据权利要求1所述的面发射激光器，其中，所述开口的所述开口直径从所述第二DBR层这一侧朝向所述第一DBR层这一侧连续地或断续地增大。

6.根据权利要求1所述的面发射激光器，其中，

所述层叠体是由氮化物半导体构造的，并且

所述电流收缩区域包括以下各项中的一项或多项作为所述杂质：氧、硼、氯、碳、氟、硼、铝、镍、铜、镁、铁。

7.根据权利要求1所述的面发射激光器，进一步包括：

光学透明电极，与所述层叠体的所述第二DBR层这一侧的最外表面接触，其中，

所述光学透明电极与所述最外表面的至少面对所述第二DBR层的整个区域接触。

8.一种电子设备，包括：

作为光源的面发射激光器，

所述面发射激光器包括

层叠体，具有有源层、第一半导体层、第二半导体层，所述有源层介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

电流收缩区域，由杂质形成并且具有开口，所述杂质是从所述第二半导体层侧注入到所述层叠体中；以及

在所述第一半导体层这一侧的第一DBR层以及在所述第二半导体层这一侧的第二DBR层，所述层叠体在面对所述开口的位置处介于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间，其中，

在所述开口处，靠近所述第一DBR层的开口直径大于靠近所述第二DBR层的开口直径，

所述电流收缩区域包括第一杂质区域和第二杂质区域，其中，形成所述第一杂质区域的杂质和形成所述第二杂质区域的杂质彼此不同，易于深地注入所述层叠体中的杂质作为形成第一杂质区域的杂质，易于浅地注入所述层叠体中的杂质作为形成所述第二杂质区域的杂质。