[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块在审
申请号: | 201780069963.9 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN110073500A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 吉河训太 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朝鲁门;孙明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主面 晶体硅基板 侧面 太阳能电池 长边 薄膜 环绕 太阳能电池模块 氧化膜 制造 | ||
太阳能电池(105)具备长方形的晶体硅基板(15)。晶体硅基板具有长方形的第一主面(81)和长方形的第二主面(82)。第一主面和第二主面中的至少一个由薄膜被覆。该薄膜环绕形成于属于将第一主面的长边和第二主面的长边连接的侧面的一个的第一侧面(91),并且未环绕到属于另一个侧面的第二侧面(92)。第二侧面的表面在晶体硅基板的厚度方向整体上设置有硅的氧化膜(50)。
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制造方法。本发明还涉及太阳能电池模块。
背景技术
在使用晶体硅基板的太阳能电池中,通过将晶体硅中的光生载流子(电子和空穴)提取到外部电路而进行发电。使用晶体硅基板的单个太阳能电池的输出最多几W左右。因此,通过形成将多个太阳能电池介由配线材料以串联的方式电连接的太阳能电池串,将各个太阳能电池的电压加和而提高输出。
将串联连接有多个太阳能电池的串中,产生由配线材料的电阻所引起的电损耗。由于单个太阳能电池的面积越大电流量越大,因此由配线材料的电阻所引起的电损耗增大。在专利文献1中公开了一种太阳能电池模块,是用配线材料连接将硅基板二等分而使其面积成为分割前的一半的太阳能电池而得的。通过使太阳能电池的面积减半而使电流变为一半,由此能够减少由配线材料的电阻所引起的损耗。
在专利文献2中公开了一种在硅基板的主面形成绝缘性薄膜后将基板二等分而得的太阳能电池。在分割后的长方形的太阳能电池中,沿着长方形的长边的2个侧面中的从分割前开始就存在的侧面由绝缘性薄膜覆盖,通过分割而形成的侧面上露出晶体硅。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-256728号公报
专利文献2:WO2012/043770号册子
发明内容
本发明人等对如专利文献1、专利文献2所公开的将基板二等分而得的太阳能电池的性能进行测定的结果,与分割前的太阳能电池相比填充因子降低。鉴于这点,本发明的目的在于提供一种将基板分割后也维持较高输出的太阳能电池和将多个该太阳能电池电连接而得的太阳能电池模块。
通过将分割硅基板时形成的硅基板的侧面用氧化膜覆盖,从而得到钝化效果,得到具有与分割前等同或高于分割前的性能的太阳能电池。
本发明的太阳能电池具备长方形的晶体硅基板。长方形的晶体硅基板具有长方形的第一主面、位于与第一主面相反的一侧的长方形的第二主面、将第一主面的长边和第二主面的长边连接的第一侧面、位于与第一侧面相反的一侧并将第一主面的长边和第二主面的长边连接的第二侧面。第一主面和第二主面中的至少一个由薄膜被覆。作为被覆硅基板的主面的薄膜,可举出硅系薄膜、绝缘性材料薄膜。
被覆第一主面的薄膜和被覆第二主面的薄膜中的至少一个环绕(回り込む)形成于第一侧面。因此,第一侧面由薄膜覆盖。被覆第一主面的薄膜和被覆第二主面的薄膜均未环绕到第二侧面。因此,第二侧面未被被覆主面的薄膜覆盖。第二侧面的表面在晶体硅基板的厚度方向上整体设置有硅的氧化膜。
将薄膜成膜于正方形的晶体硅基板的主面后,对硅基板进行分割,由此得到2个长方形的晶体硅基板。在将薄膜成膜到晶体硅基板上时,只要不仅在正方形的晶体硅基板的主面成膜,还以环绕到侧面的方式进行成膜,则在分割后的长方形的晶体硅基板中使第一侧面也由薄膜覆盖。第二侧面为通过分割硅基板而产生的侧面。因此,即便在正方形的硅基板的侧面由薄膜覆盖的情况下,长方形的硅基板的第二侧面也不会被形成于硅基板的主面的薄膜所覆盖。
第二侧面的氧化膜通过将露出于第二侧面的晶体硅暴露于与常温的空气相比氧化性更强的气氛(氧化性气氛)而形成。即,第二侧面的硅氧化膜为非自然氧化膜,与硅的自然氧化膜相比具有更大的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的