[发明专利]量子点发光装置

说明书

本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II‑VI族化合物、第II‑V族化合物、第III‑VI族化合物、第III‑V族化合物、第IV‑VI族化合物、第I‑III‑VI族化合物、第II‑IV‑VI族化合物、第II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。

技术领域

本发明涉及一种电子装置，尤其为一种量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)为使用多个有机和无机层结合半导体纳米粒子的发射层的电致发光装置，有时称作量子点(QD)。QLED中的量子点层能够在将电输入施加至装置时发射光。因此，QLED可用作显示器和一般照明应用中的光源。QLED的一个限制为缺乏能够向量子点层内高效注入电荷的适合空穴传输层(HTL)。向量子点内的不佳电荷注入导致具有高工作电压和低光产生效率的QLED装置。

因此，存在对于新空穴传输材料的持续需求，以实现具有高亮度和色彩纯度、最小化的功率消耗和高可靠性的经改良的QLED装置。

发明内容

本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物、第II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子：

其中R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴和R³⁵中的每一个独立地选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、胺基、羟基、磺酸酯基、硝基和有机基团；且R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴和R³⁵中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；且R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴和R³⁵中的一个或多个共价键结至聚合物；且A^-为阴离子。

具体实施方式

本发明的量子点发光装置包含阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、任选的一个或多个电子注入层和阴极。

所述光发射层包括至少一个半导体纳米粒子。

空穴注入层，或空穴传输层，或空穴注入层以及空穴传输层，或充当空穴注入层或/和空穴传输层中的任一个/两个的层包括以下描述的聚合物。