[发明专利]用于制造光学传感器装置的方法和用于光学传感器的外壳有效
| 申请号: | 201780064811.X | 申请日: | 2017-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN109923669B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
| 发明(设计)人: | 索尼娅·柯尼希;伯恩哈德·斯特林;哈拉尔德·埃齐梅尔 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
| 地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 光学 传感器 装置 方法 外壳 | ||
1.一种用于制造光学传感器装置(10)的方法,该方法包括:
-在载体(12)上设置至少两个光学传感器(11),
-在光学传感器(11)的背离所述载体(12)的一侧上设置覆盖材料(14),
-通过在所述覆盖材料(14)的背离所述载体(12)的顶侧(15)上的不透明的孔层(30)来为每个光学传感器(11)设置孔(13),
-在所述不透明的孔层(30)的背离所述载体(12)的顶侧上设置透明的覆盖层(31),
-在光学传感器(11)之间通过从所述载体(12)侧朝向所述覆盖材料(14)的顶侧(15)切割所述载体(12)和所述覆盖材料(14)并且至少使所述透明的覆盖层(31)不被切割来形成至少一个沟槽(16),所述沟槽(16)包括内壁(18),
-用不透明材料(19)涂覆所述内壁(18),使得所述沟槽(16)的内部空间(20)不含所述不透明材料(19),以及
-沿着所述至少一个沟槽(16)分离光学传感器装置(10)。
2.根据权利要求1所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,每个光学传感器(11)包括至少一个电触点(23),其中,在沿着所述沟槽(16)分离之前,所述电触点(23)至少部分不含任何隔离材料。
3.根据权利要求2所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,所述电触点(23)布置在所述载体(12)的背离孔(13)的底侧(22)处。
4.根据权利要求2所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,在对所述沟槽(16)进行涂覆期间,所述电触点(23)由第一保护膜(32)保护。
5.根据权利要求3所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,在对所述沟槽(16)进行涂覆期间,所述电触点(23)由第一保护膜(32)保护。
6.根据权利要求4所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,在对沟槽(16)进行涂覆后,去除所述第一保护膜(32)。
7.根据权利要求5所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,在对沟槽(16)进行涂覆后,去除所述第一保护膜(32)。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,用所述不透明材料(19)对所述沟槽(16)进行涂覆包括喷涂或物理气相沉积。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,所述沟槽(16)包括底部表面(33),该底部表面(33)涂覆有所述不透明材料(19)。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,所述沟槽(16)的内壁(18)处的不透明材料(19)的厚度小于100μm。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,在每个光学传感器(11)和对应的孔(13)之间布置有透镜(26)。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造光学传感器装置(10)的方法,其中,所述光学传感器(11)各自包括互补金属氧化物半导体图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





