[发明专利]摄像元件和电子设备

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括：

半导体基板，在所述半导体基板上形成有光电转换单元；

配线层，其布置在与所述半导体基板的光接收表面相对的侧上，并且设置有配线和反射膜；以及

绝缘膜，其堆叠在所述半导体基板和所述配线层之间，

其中，所述反射膜布置在所述绝缘膜和所述配线之间，并且在所述半导体基板和所述配线层堆叠的第一方向上与每个像素的所述光电转换单元的至少一部分重叠，并且，

在所述绝缘膜和所述反射膜之间的第一层间膜比所述绝缘膜厚，

其中，当被所述反射膜反射的光的中心波长设为λ，所述第一层间膜的折射率设为n_A，所述反射膜的折射率设为n_B，且i和j是0以上的整数时，所述第一层间膜的厚度设置在(2i+1)λ/4n_A附近，并且所述反射膜的厚度设置在(2j+1)λ/4n_B附近。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述第一层间膜的厚度在80nm到200nm的范围内，并且，

所述反射膜的厚度在40nm到80nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

所述第一层间膜包括硅氧化物或硅氮化物作为主要组分，并且，

所述反射膜包括多晶硅、非晶硅或单晶硅作为主要组分。

4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

通过第二层间膜堆叠有两个以上的所述反射膜。

5.根据权利要求4所述的摄像元件，其中，

所述第一层间膜和所述第二层间膜的厚度在100nm到200nm的范围内，并且，

所述反射膜的厚度在80nm到100nm的范围内。

6.根据权利要求4所述的摄像元件，其中，

当被所述反射膜反射的光的中心波长设为λ，所述第一层间膜和所述第二层间膜的折射率设为n_A，所述反射膜的折射率设为n_B，且i和j是1以上的整数时，所述第一层间膜和所述第二层间膜的厚度设置在(λ×i)/4n_A附近，并且所述反射膜的厚度设置在(λ×j)/4n_B附近。

7.根据权利要求4所述的摄像元件，其中，

所述第一层间膜和所述第二层间膜包括硅氧化物、硅氮化物、TiO₂或HfO₂作为主要组分，并且，

所述反射膜包括多晶硅、非晶硅、单晶硅、TaO、TfO、硅氮化物、Ge、SiC、TiN、Ti、TiO₂或NgF₂作为主要组分。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像元件，其中，

所述反射膜布置在如下位置处：所述位置在所述第一方向上不与在所述半导体基板的与所述光接收表面相对侧的表面上形成的晶体管的栅极电极重合。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像元件，其中，

所述反射膜的形状、尺寸和位置中的至少一者针对每个像素彼此不同。

10.根据权利要求9所述的摄像元件，其中，

根据瞳校正来调整所述反射膜的所述形状、所述尺寸和所述位置中的至少一者。

11.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像元件，其中，

所述反射膜被多个像素共用。

12.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像元件，其中，

在所述反射膜的表面上形成有凹凸。