[发明专利]成像元件、固态成像装置和电子设备

说明书

本发明的成像元件包括：第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的用于从第二电极接收入射光的受光层。第二电极包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层包含硅或氧化硅中的至少一种。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月2日提交的日本在先专利申请JP 2016-215162的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及成像元件、固态成像装置和电子设备。

背景技术

包括在图像传感器等中的成像元件具有这样的结构，其中，例如，受光层(光电转换层)被两个电极夹在中间。在这样的成像元件中，光入射到其上的透明电极通常由具有结晶性的氧化铟锡(ITO)的透明导电材料形成。然而，这种由ITO制成的透明电极具有大的内部应力，并且经常导致成像元件的特性降低。用于解决源自这种透明电极的内部应力的问题的成像元件(光电转换元件)从例如JP 2010-003901A中是已知的。即，在该日本未审查专利申请公开中公开的成像元件(光电转换元件)包括配置在一对电极之间的光电转换层以及由一对电极中的一个和光电转换层夹持的至少一个应力缓冲层；在成像元件中，应力缓冲层具有包括结晶层的堆叠结构，具体地，其中两个结晶层和两个非结晶层(总共四层)交替地堆叠的结构。

[引用文献列表]

[专利文献]

[PTL 1]JP 2010-003901A

发明内容

[技术问题]

然而，在上述日本未审查专利申请公开中公开的技术中，应力缓冲层具有至少四层构成，并且结构复杂；因此，存在形成过程复杂并且应力缓冲层的形成需要很长时间的问题。

因此，期望提供一种具有尽管结构简单但不会引起特性降低的构成和结构的成像元件、包括所述成像元件的固态成像装置和电子设备。

[解决问题的方案]

根据本公开第一实施方案的成像元件包括：由第一电极、形成在第一电极上的受光层和形成在所述受光层上的第二电极构成的堆叠结构体，并且所述堆叠结构体构造成使得光从第二电极入射。第二电极由从其中混合或掺杂有选自硅和氧化硅中的至少一种材料的氧化铟锡构成的非晶氧化物制成。

根据本公开第二实施方案的成像元件包括：由第一电极、形成在第一电极上的受光层和形成在所述受光层上的第二电极构成的堆叠结构体，并且所述堆叠结构体构造成使得光从第二电极入射。第二电极由从其中混合或掺杂有选自钴、氧化钴、钨、氧化钨、锌和氧化锌中的至少一种材料的氧化铟锡构成的非晶氧化物制成。

根据本公开第一实施方案的固态成像装置包括多个成像元件。所述各成像元件包括由第一电极、形成在第一电极上的受光层和形成在所述受光层上的第二电极构成的堆叠结构体，并且所述堆叠结构体构造成使得光从第二电极入射，和第二电极由从其中混合或掺杂有选自硅和氧化硅中的至少一种材料的氧化铟锡构成的非晶氧化物制成。

根据本公开第二实施方案的固态成像装置包括多个成像元件。所述各成像元件包括由第一电极、形成在第一电极上的受光层和形成在所述受光层上的第二电极构成的堆叠结构体，并且所述堆叠结构体构造成使得光从第二电极入射，和第二电极由从其中混合或掺杂有选自钴、氧化钴、钨、氧化钨、锌和氧化锌中的至少一种材料的氧化铟锡构成的非晶氧化物制成。

根据本公开第一实施方案的电子设备包括：由第一电极、形成在第一电极上的发光/受光层和形成在所述发光/受光层上的第二电极构成的堆叠结构体，并且所述堆叠结构体构造成使得光从第二电极入射。第二电极由从其中混合或掺杂有选自硅和氧化硅中的至少一种材料的氧化铟锡构成的非晶氧化物制成。