[发明专利]多硅原子量子点和包含其的设备在审
| 申请号： | 201780055742.6 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109803918A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·A·伍尔科夫;罗山·阿盖;塔利亚纳·哈夫;哈特姆·拉比迪;卢西恩·利瓦达鲁;保罗·皮瓦;穆罕默德·拉希迪 | 申请（专利权）人： | 昆腾硅公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y20/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 加拿大阿尔伯塔省埃德*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 悬空键 电离 量子点 选择性修改 设备提供 硅表面 硅原子 原子硅 封端 硅带 输出 创建 | ||
1.一种多原子硅量子点，包括：
第一多个悬空键，在另外的H封端硅表面上，每一个所述多个悬空键具有+1、0或－1的三种电离状态中的一种并且分别对应处于悬空键状态的0、1或2个电子；
所述第一多个悬空键紧密靠近在一起，在硅带隙中能量上具有悬空键状态，并选择性地控制所述第一多个悬空键之一的电离状态。
2.根据权利要求1所述的点，其特征在于，所述多个悬空键为三个悬空键。
3.根据权利要求1所述的点，其特征在于，所述多个悬空键为四个悬空键。
4.根据权利要求1所述的点，其特征在于，所述多个悬空键为五个悬空键。
5.根据权利要求1所述的点，其特征在于，所述多个悬空键为六至十个悬空键。
6.根据权利要求1所述的点，其特征在于，所述多个悬空键为多于十个悬空键。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的点，其特征在于，所述第一多个悬空键为线性的。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的点，其特征在于，所述第一多个悬空键位于相邻的H－封端硅原子上。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的点，其特征在于，在所述第一多个悬空键之间存在至少一个H－封端的硅原子中间物。
10.根据权利要求1所述的点，还包括在另外的H－封端的硅表面上的第二多个悬空键，每个所述悬空键具有+1、0或－1的三种电离状态中的一种并且分别对应处于悬空键状态的0、1或2个电子，所述第二多个悬空键紧密靠近在一起，在硅带隙中能量上具有悬空键状态，并且选择性地控制所述第二多个悬空键之一的电离状态。
11.根据权利要求10所述的点，其特征在于，所述第二多个悬空键包括2至10,000个悬空键。
12.根据权利要求10所述的点，其特征在于，所述第二多个悬空键平行于所述第一多个悬空键定位。
13.根据权利要求10所述的点，其特征在于，所述第二多个悬空键垂直于所述第一多个悬空键定位。
14.根据权利要求10所述的点，其特征在于，所述第二多个悬空键与所述第一多个悬空键成120°角定位。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的点，其特征在于，所述硅表面为Si(111)、Si(110)或Si(100)中的一种。
16.根据权利要求10至14中任一项所述的点，其特征在于，所述第一多个悬空键和所述第二多个悬空键在所述硅表面上形成V形。
17.根据权利要求10至14中任一项所述的点，还包括第三多个悬空键，其中所述第一、第二和第三多个悬空键在所述硅表面上形成三角形或Y形。
18.根据权利要求10至14中任一项所述的点，还包括第三多个悬空键和第四多个悬空键，其中所述第一、第二、第三和第四多个悬空键在所述硅表面上形成正方形或矩形。
19.根据权利要求10至14中任一项所述的点，还包括输入和输出。
20.根据权利要求10所述的点，还包括AFM尖端，作为输入和第三多个悬空键，其中所述第一、第二和第三多个悬空键在所述硅表面上形成Y形。
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