[发明专利]用于处理部件的装置

说明书

本发明涉及一种用于处理半导体衬底(60)的装置(50)，所述装置包括外壳(52)和用于将气态混合物供给到外壳中的至少一个回路(68、70)，所述外壳包含至少一个支撑件(54)，所述支撑件包括支撑半导体衬底的板(58)的堆叠，每个板具有支撑半导体衬底中的至少一个的基本水平的表面，其中所述板中的至少一个包括用于衬底和板之间的气态混合物的至少一个通道。

本申请要求申请号为16/58054的法国专利申请的优先权，其内容在此通过引用以法律允许的最大程度整体并入。

技术领域

本公开涉及一种用于处理部件、特别是处理用于制造光伏电池的半导体衬底的装置。

背景技术

光伏电池制造方法可以包括例如根据等离子体增强化学气相沉积或PECVD方法在半导体衬底、特别是硅衬底的表面上沉积电绝缘层的步骤。

图1部分地和示意性地示出了能够实施PECVD方法的半导体衬底处理装置10的示例。

装置10包括外壳12，在其中保持低压。装置10还包括支撑件13，其上设置有板14。板可以通过门(未示出)被引入外壳12中或从外壳12移除，门例如设置在外壳12的一端。每个板14(例如，由石墨制成)可以接收至少一个半导体衬底16。半导体衬底16基本上垂直地布置在外壳12中。每个板14包括至少一个引脚17，以保持衬底16基本上压靠板14的表面。

装置10包括前体气体(precursor gas)和可选的中性气体的容器18。容器18连接到控制面板20，该控制面板能够形成前体气体和可选的中性气体的混合物。控制面板20通过阀22连接到外壳12，阀22在打开时能够通过进料喷嘴23将气态混合物引入外壳12。装置10包括通过阀26连接到外壳12的真空泵24，该真空泵在打开时能够通过吸嘴25吸入存在于外壳12中的气态混合物。

装置10还包括围绕外壳12并且能够控制板14和外壳12中的气态混合物的温度的加热元件28。装置10还包括AC电压发电机30，其与外壳12中的板14电连接。

PECVD方法是干沉积技术，即来自气相的技术。它使用注入外壳12中的前体气体，并且通过衬底16的表面上的化学反应使这些气体分解而产生沉积。在PECVD方法中，通过电射频放电(RF)来增强化学反应使气体电离并形成等离子体。每个板14用作热导体，还提供与相关半导体衬底16的射频接触。板14连接到发电机30以形成阴极和阳极的交替，并且在每对相邻板14之间产生等离子体。前体气体将分解以在每个衬底16的与和板14接触的表面相对的表面上形成薄膜沉积。

处理装置10具有若干缺点。

一个缺点是在外壳12中靠近每个半导体衬底16的气态混合物的组分不是均匀的。实际上，与进料喷嘴23的距离越大，已经反应的前体气体的比例增加得越多。对于每个半导体衬底16可能难以获得相同厚度和相同组成的沉积物。然后可能需要在板14之间提供可变间隔以补偿外壳12中的气态混合物的不均匀性。这可能使得支撑件13的设计和/或板14在支撑件13上的安装更复杂。

另一个缺点是由于半导体衬底16垂直地布置在外壳12中，它们可能在其自身重量下承受机械应力，这是不希望的。

另一个缺点是在半导体衬底16的由引脚17掩蔽的区域上可能不会发生沉积。缺少沉积可能使光伏电池制造方法的后续步骤更复杂。此外，半导体衬底16的没有沉积物的区域形成可能发生光伏电池破坏现象的脆弱区域。

发明内容

实施例的目的旨在克服先前描述的处理装置的全部或部分缺点。

实施例的另一个目的是改善处理装置的外壳中气态混合物的均匀性。

实施例的另一个目的是减少处理期间半导体衬底经受的机械应力。

实施例的另一个目的是获得每个半导体衬底的整个待处理表面上的层的沉积。