[发明专利]有机半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780052766.6 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN109643760B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 金渡桓;姜文晟;黄海重;朴韩蔚;伸智蕙 申请(专利权)人: 崇实大学校产学协力团;汉阳大学校产学协力团
主分类号: H10K71/00 分类号: H10K71/00;H10K71/40;H10K10/46;C08K5/56;H01L21/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;宋东颖
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

根据本发明,有机半导体器件制造方法包括:在基板上形成第一有机半导体层,上述第一有机半导体层在其上部面或块体上具有反应基团的步骤;以及向上述第一有机半导体层上提供自组装前体来形成自组装单分子层的步骤,形成上述自组装单分子层的步骤可包括在上述自组装前体与上述第一有机半导体层的上述反应基团之间形成化学键的步骤。

技术领域

本发明涉及半导体器件,更具体地涉及有机半导体器件的制造方法。

背景技术

最近,正积极进行将柔性材料应用于显示器或薄膜型太阳能电池的研究。利用有机物半导体来代替以往所使用的无机物半导体,可能更有利于制造这种电子器件。为此,对有机物半导体的关注度日益增加。有机半导体器件是指将有机物半导体物质用作通道的半导体器件。但是,相对于无机物半导体,由于有机物半导体对外部环境敏感,因此提出用于提高有机半导体器件的电特性和耐久性的必要性。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明所要解决的一技术问题在于,提供耐久性得以提高的有机半导体器件及其制造方法。

本发明所要解决的另一技术问题在于,提供用于改变有机半导体层的表面及块体(内部)特性的方法。

本发明所要解决的技术问题并不限定于上述所提及的技术问题,从以下描述中,本技术领域的技术人员可清楚地理解未提及的其他技术问题。

技术方案

本发明涉及半导体器件制造方法。根据本发明,半导体器件制造方法包括步骤:在基板上形成第一有机半导体层,上述第一有机半导体层包含有机金属前体,并通过多个有机金属前体之间的溶胶凝胶反应来呈相互渗透型网状,同时生成未交联的键,在第一有机半导体层上部面上具有反应基团;以及向上述第一有机半导体层上提供自组装前体来形成自组装单分子层,形成上述自组装单分子层的步骤可包括在上述自组装前体与上述第一有机半导体层的上述反应基团之间形成化学键的步骤。

在多个实施例中,上述自组装单分子层在其上部面上具有功能基团,上述自组装单分子层的上述功能基团可能与在通过上述有机金属前体的结合来呈网状的上述第一有机半导体层中未交联的有机金属前体的上述反应基团不同。根据多个实施例,形成上述第一有机半导体层的步骤包括在上述基板上涂敷有机半导体溶液的步骤,并且,上述有机半导体溶液包含有机半导体物质及有机金属前体,上述有机金属前体可以由以下化学式1表示。

化学式1:

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