[发明专利]有机半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体器件制造方法，其特征在于，

包括：

在基板上形成第一有机半导体层，上述第一有机半导体层在其上部面具有反应基团的步骤；以及

向上述第一有机半导体层上提供自组装前体来形成自组装单分子层的步骤，

形成上述自组装单分子层的步骤包括在上述自组装前体与上述第一有机半导体层的上述反应基团之间形成化学键的步骤，

形成上述第一有机半导体层的步骤包括在上述基板上涂敷有机半导体溶液的步骤，

上述有机半导体溶液包含有机半导体物质及有机金属前体，

形成上述第一有机半导体层的步骤还包括通过使上述多个有机金属前体互相反应来形成网状结构体的步骤。

2.根据权利要求1所述的有机半导体器件制造方法，其特征在于，

上述自组装单分子层在其上部面上具有功能基团，

上述自组装单分子层的上述功能基团与上述第一有机半导体层的上述反应基团互不相同。

3.根据权利要求1所述的有机半导体器件制造方法，其特征在于，

上述有机金属前体由以下化学式1表示，

化学式1：

在化学式1中，M₁及M₂分别独立地包含Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Si、Cu、Zn、Pd、Ag、Au、Hg、Pt、Ta、Mo、Zr、Mg、Sn、Ge、Y、Nb、Tc、Ru、Rh、Lu、Hf、W、Re、Os、Ir、Lr、Rf、Db、Sg、Bh、Hs、Mt、Ds、Rg及Uub中的至少一种，

Y为取代或未取代的C1至C30的烷基、C3至C30的环烷基、C3至C30的杂环基、C2至C30的烯基、C3至C30的环烯基、C2至C30的炔基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的烷硫基、C3至C30的芳醚基、C3至C30的芳基硫醚基、C3至C30的芳基、C3至C30的杂芳基、氰基、甲酰基、C1至C30的烷基羰基、C3至C30的芳基羰基、羧基、C1至C30的烷氧基羰基、C3至C30的芳氧基羰基、C1至C30的烷基羰氧基、C1至C30的芳基羰氧基、氨基甲酰基、氨基及甲硅烷基中的一种，

X₁及X₂为分别独立地选自氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、C3至C30的环烷基、C3至C30的杂环基、C2至C30的烯基、C3至C30的环烯基、C2至C30的炔基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的烷硫基、C3至C30的芳醚基、C3至C30的芳基硫醚基、C3至C30的芳基、C3至C30的杂芳基、卤素原子、氰基、甲酰基、C1至C30的烷基羰基、C3至C30的芳基羰基、羧基、C1至C30的烷氧基羰基、C3至C30的芳氧基羰基、C1至C30的烷基羰氧基、C1至C30的芳基羰氧基、氨基甲酰基、氨基及羟基中的一种，

上述取代的C1至C30的烷基包含被卤素元素取代的烷基。

4.根据权利要求3所述的有机半导体器件制造方法，其特征在于，

还包括在上述基板与上述第一有机半导体层之间形成绝缘层的步骤，上述绝缘层在其上部面上具有功能基团，

形成上述第一有机半导体层的步骤包括使上述有机金属前体与上述绝缘层的上述功能基团相结合的步骤。

5.根据权利要求4所述的有机半导体器件制造方法，其特征在于，还包括：

在上述基板与上述绝缘层之间形成栅极图案的步骤；以及

在上述第一有机半导体层上形成源极/漏极图案的步骤。

6.根据权利要求1所述的有机半导体器件制造方法，其特征在于，还包括：

在上述自组装单分子层上形成绝缘层的步骤；

在上述绝缘层上形成栅极图案的步骤；以及

在上述基板与上述第一有机半导体层之间形成源极/漏极图案的步骤。