[发明专利]发光元件

说明书

本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种发光元件：通过在第一连接焊盘与第一导电型半导体层之间布置电流阻断层而使注入到第一导电型半导体层的电流的分散效率提高，连接焊盘与电流阻断层包括曲线区域，从而能够提高可靠性，并且将电流引导至连接于连接焊盘的下部延伸部，从而能够提高发光元件的功率。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，尤其涉及一种改善了电流分散性能的发光元件。

背景技术

发光元件(light-emitting diode；LED)是指如下的元件：利用半导体的p-n键合结构而使注入的少数载流子(电子或空穴)形成，并借助于其复结合而发散预定的光。通过GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaInP等化合物半导体(compound semiconductor)材料的变更而构成发光源，从而可以呈现多样的颜色。

对于这种发光元件而言，与现有的电灯泡或荧光灯相比，消耗的电输出较小，寿命较长，并可设置于狭窄的空间，且针对振动表现出较强抵抗能力的特性。这样的发光元件被利用为显示元件和背光装置，并因其在消耗电输出的节省及耐久性方面具备优良的特性，所以近来其应用逐渐扩展到大型LCD-TV背光装置、汽车前照灯乃至普通一般的照明方式中，为此需要改善发光元件的发光效率。

发明内容

技术问题

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种可实现在连接焊盘与氮化物基半导体叠层相接的区域中发生的电流集中现象的最小化的发光元件。

本发明所要解决的另一技术问题在于，提供一种提高了可靠性的发光元件。

本实用新型所要解决的另一技术问题在于，提供一种可防止在连接焊盘与氮化物基半导体叠层相接的区域中光被连接焊盘吸收而损失的现象的发光元件。

技术方案

根据本发明的一个实施例，提供一种发光元件，包括：氮化物基半导体叠层，包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层，且包含通过贯穿所述第二导电型半导体层和活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的暴露区域；第一连接焊盘，通过所述暴露区域而电连接于所述第一导电型半导体层；第一电流阻断层，夹设于所述第一导电型半导体层与所述第一连接焊盘之间；第二连接焊盘，布置于所述第二导电型半导体层上；以及上部延伸部，从所述第二连接焊盘延伸，其中，所述上部延伸部为两个以上，所述第一连接焊盘位于所述上部延伸部之间，所述第一电流阻断层在所述第一导电型半导体层与所述第一连接焊盘之间的区域中限于局部区域而被夹设。

根据本发明的另一实施例的发光元件包括：氮化物基半导体叠层，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，且包括贯通所述第二导电型半导体层及活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的暴露区域；第一连接焊盘，通过所述暴露区域连接于所述第一导电型半导体层；下部延伸部，从所述第一连接焊盘延伸；以及第一电流阻断层，位于所述第一连接焊盘与所述第一导电型半导体层之间，其中，所述第一连接焊盘包括具有R₁值的曲率半径的第一曲线区域，所述第一电流阻断层包括具有R₂值的曲率半径的第二曲线区域，所述第二曲线区域邻近于所述第一曲线区域的内侧而布置，所述下部延伸部包括与所述第一连接焊盘相接的连接部以及从所述连接部延伸的主延伸部，所述连接部包括具有R₃值的曲率半径的第三曲线区域，所述R₂大于R₃而小于R₁。

有益效果

根据本发明的发光元件，在连接焊盘与第一导电型半导体层之间布置电流阻断层，从而可以使电流在第一导电型半导体层内均匀分散。并且，利用高反射率的电流阻断层，从而可以提高发光元件的光提取效率。并且，连接焊盘与电流阻断层包括曲线区域，从而能够提高可靠性，并且将电流引导至连接于连接焊盘的下部延伸部，从而能够提高发光元件的输出。