[发明专利]存储器单元的印痕避免

说明书

本申请案涉及存储器单元的印痕避免。描述用于操作一个或若干个铁电存储器单元的方法、系统及装置。单元可经写入有值，所述值希望传达不同于通常可与所述值相关联的逻辑状态。例如，已存储与一个逻辑状态相关联的电荷达一个时段的单元可经重写以存储不同电荷，且所述重写单元仍可经读取以具有最初存储的逻辑状态。可将指示符存储于锁存器中以指示当前通过所述单元存储的所述逻辑状态是否为所述单元的预期逻辑状态。单元可(例如)基于事件的发生或基于所述单元已存储一个值(或电荷)达特定时段的确定而周期性地重写有相反值。

交叉参考

本专利申请案主张2017年6月2日申请的标题为“存储器单元的印痕避免(MemoryCell Imprint Avoidance)”的第PCT/US2017/035758号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张2016年6月21日申请的Calderoni等人的标题为“存储器单元的印痕避免(MemoryCell Imprint Avoidance)”的第15/188,886号美国专利申请案的优先权，所述案中的每一者经让渡给其受让人且以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及存储器单元的印痕避免。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置且更具体来说涉及维持存储逻辑值达延长时段的铁电存储器单元的性能。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，其通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为存储信息，电子装置可将状态写入或编程于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器等等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如，快闪存储器)可甚至在缺乏外部电源的情况下存储数据达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其存储状态，除非其由外部电源周期性刷新。二进制存储器装置可(例如)包含充电电容器或放电电容器。然而，充电电容器可经由泄漏电流随时间变成放电，从而导致存储信息的丢失。易失性存储器的特定特征可提供性能优势，例如更快的读取速度或写入速度，而非易失性存储器的特征(例如在无周期性刷新的情况下存储数据的能力)可为有利的。

FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但可因为使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进性能。FeRAM装置的铁电存储器单元可存储逻辑状态(例如，逻辑1)达延长时段(例如，数小时、数日、数月等)。在此时段内，铁电存储器单元的铁电电容器内的铁电域可偏移，偏移的量值及效应可随时间增大。由于此偏移，铁电存储器单元可在后续写入操作或读取操作期间经历降级性能。

发明内容

在一些实例中，一种操作存储器阵列的方法可包含：将第一逻辑状态写入到铁电存储器单元；确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达第一时段；及至少部分基于所述确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元，其中所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态。

在一些实例中，一种电子存储器设备可包含：铁电存储器单元，其可写入有第一逻辑状态或第二逻辑状态；及锁存器，其经耦合到所述铁电存储器单元，其中所述锁存器包括非易失性存储器单元来存储是所述第一逻辑状态还是所述第二逻辑状态表示所述铁电存储器单元的预期逻辑状态的指示。