[发明专利]存储器单元的印痕避免有效
申请号: | 201780038707.3 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109313921B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | A·卡德罗尼;D·V·N·拉马斯瓦米;K·普拉尔;F·贝代斯基 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 单元 印痕 避免 | ||
1.一种操作存储器阵列的方法,其包括:
将第一逻辑状态写入到所述存储器阵列的铁电存储器单元;
确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达第一时段,其中所述第一时段至少部分基于与所述存储器阵列相关联的一或多个参数;
至少部分基于所述确定所述铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元,其中所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态;
将指示符存储于与包括所述铁电存储器单元的所述存储器阵列的存储器单元的子区段相关联的锁存器中,其中所述指示符的值指示所述铁电存储器单元的预期逻辑状态是所述第一逻辑状态还是所述第二逻辑状态;
确定所述铁电存储器单元已存储所述第二逻辑状态达第二时段,其中所述第二时段至少部分基于与所述存储器阵列相关联的所述一或多个参数;及
至少部分基于确定所述铁电存储器单元已存储所述第二逻辑状态达所述第二时段而将所述第一逻辑状态写回到所述铁电存储器单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
使用与所述铁电存储器单元电子连通的感测组件来感测所述铁电存储器单元的所述第二逻辑状态;及
至少部分基于感测所述第二逻辑状态及所述指示符的所述值而确定所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
识别来自所述存储器阵列的读取操作的码字,其中所述码字的值至少部分基于所述指示符的所述值;及
至少部分基于所述码字确定所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
接收所述第一逻辑状态以存储于所述铁电存储器单元中;及
至少部分基于所述指示符的所述值而将所述第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
至少部分基于将所述第二逻辑状态写入到所述铁电存储器单元而更新所述指示符的所述值,其中所述指示符的所述经更新值指示所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
至少部分基于将所述第一逻辑状态写入到所述铁电存储器单元而更新所述指示符的所述值,其中所述指示符的所述经更新值指示所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态为所述第一逻辑状态。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一时段包括循环的第一间隔且所述第二时段包括所述循环的第二间隔,其中所述循环的周期包含写入所述第一逻辑状态与写回所述第一逻辑状态之间的时间。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述锁存器包括多个锁存器的一个锁存器,且其中所述铁电存储器单元的所述预期逻辑状态至少部分基于通过所述多个锁存器的多数锁存器存储的所述值。
9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
识别所述铁电存储器单元在未经存取的情况下已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段,其中写入所述第二逻辑状态至少部分基于所述识别。
10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
识别包含所述铁电存储器单元的所述存储器阵列的子区段;及
至少部分基于确定所述子区段的一或多个铁电存储器单元已存储所述第一逻辑状态达所述第一时段而将不同逻辑状态写入到所述子区段的每一铁电存储器单元。
11.根据权利要求1所述的方法,其中确定已经过所述第一时段包括以下中的至少一者:
确定错误的数目已超过阈值数目;
确定所述存储器阵列已在低功率模式中操作;
确定所述存储器阵列已在断电模式中操作;或
确定已接收来自用户的命令。
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